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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2013-05-16 16:35 収束イオンビームを用いたPドープSOI基板に対するGaイオン注入とそのゼーベック係数 ○鈴木悠平・三輪一聡（静岡大）・ファイズ サレ（静岡大/学振）・下村 勝・石田明広・池田浩也（静岡大）  ED2013-22 CPM2013-7 SDM2013-29 |
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| 抄録 | （和） | Siナノワイヤを用いたサーモパイル型赤外線センサを作製するために，収束イオンビーム(FIB)によってn型SOI層へのGaイオン注入を行い，p型SOI層の作製を試みている． 本研究では，平均のGa濃度が$3times10^{18}$cm$^{-3}$と$3times10^{19}$cm$^{-3}$のSOI試料を作製し，それらのゼーベック係数を測定した． その結果，熱起電力の符号が反転し，p型SOI層ができていることを確認した． 測定したゼーベック係数を理論計算値と比較したところ，共ドープのSiの計算値では実験結果を再現することができなかった． これは，作製したp型SOI層内では，Ga濃度が分布を持つことが影響していると思われる． |
| （英） | With the aim of fabricating a thermopile infrared detector using Si nanowires, we have investigated the formation of a p-type silicon-on-insulator (SOI) layer by focused ion beam (FIB) Ga implantation into a P-doped SOI layer. In this study, the Ga-implanted SOI layers with an average Ga concentration of $3 times 10^{18}$cm$^{-3}$ and $3 times 10^{19}$cm$^{-3}$ were prepared and their Seebeck coefficients were measured. It was found that the sign of thermoelectromotive force of the Ga-implanted SOI layer was reversed from the original P-doped SOI layer. Therfore, the p-type SOI layer was formed by the Ga implantation. The measured Seebeck coefficient was found not to be reproduced by the theoretically calculated value of co-doped Si. This disagreement is thought to be due to the influence of Ga ion distribution in the implanted SOI layer. |
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| キーワード | （和） | サーモパイル型赤外線センサ / Siナノワイヤ / ゼーベック係数 / 収束イオンビーム / イオン注入 / / / |
| （英） | thermopile IR photodetector / Si nanowire / Seebeck coefficient / focused ion beam / ion implantation / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 41, SDM2013-29, pp. 33-37, 2013年5月. | |
| 資料番号 | SDM2013-29 | |
| 発行日 | 2013-05-09 (ED, CPM, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2013-22 CPM2013-7 SDM2013-29 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM ED CPM |
| 開催期間 | 2013-05-16 - 2013-05-17 |
| 開催地（和） | 静大（浜松）創造科学技術大学院 |
| 開催地（英） | Shizuoka Univ. (Hamamatsu) Graduate School of Sci. and Technol. |
| テーマ（和） | 結晶成長、評価及びデバイス（化合物、Si、SiGe、電子・光材料） |
| テーマ（英） | Crystal Growth, Characterization, Device, etc (compound semiconductors, Si, SiGe, optical and electronic materials) |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2013-05-SDM-ED-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 収束イオンビームを用いたPドープSOI基板に対するGaイオン注入とそのゼーベック係数 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Focused ion beam Ga implantation into P-doped SOI layer and its Seebeck coefficient |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | サーモパイル型赤外線センサ / thermopile IR photodetector |
| キーワード(2)（和/英） | Siナノワイヤ / Si nanowire |
| キーワード(3)（和/英） | ゼーベック係数 / Seebeck coefficient |
| キーワード(4)（和/英） | 収束イオンビーム / focused ion beam |
| キーワード(5)（和/英） | イオン注入 / ion implantation |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 悠平 / Yuhei Suzuki / スズキ ユウヘイ |
| 第1著者 所属（和/英） | 静岡大学 (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三輪 一聡 / Kazutoshi Miwa / ミワ カズトシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 静岡大学 (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | ファイズ サレ / Faiz Salleh / ファイズ サレ |
| 第3著者 所属（和/英） | 静岡大学/日本学術振興会特別研究員 (略称： 静岡大/学振) Shizuoka University/ Research Fellow of the Japan Society for the Promotion of Science (略称： Shizuoka Univ./ Research Fellow of JSPS) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 下村 勝 / Masaru Shimomura / シモムラ マサル |
| 第4著者 所属（和/英） | 静岡大学 (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石田 明広 / Akihiro Ishida / イシダ アキヒロ |
| 第5著者 所属（和/英） | 静岡大学 (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 池田 浩也 / Hiroya Ikeda / イケダ ヒロヤ |
| 第6著者 所属（和/英） | 静岡大学 (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2013-05-16 16:35:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | ED2013-22, CPM2013-7, SDM2013-29 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.39(ED), no.40(CPM), no.41(SDM) |
| ページ範囲 | pp.33-37 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2013-05-09 (ED, CPM, SDM) |
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