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機構デバイス研究会 (EMD) (検索条件: 2010年度)
「from:2010-06-25 to:2010-06-25」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| EMD, CPM, OME (共催) |
2010-06-25 14:00 |
東京 | 機械振興会館 地下3階研修2号室 | π共役系保護基を有するAuナノ粒子を用いた二重トンネル接合の抵抗値 ○皆川慶嘉・加納伸也・東 康男（東工大/JST）・金原正幸・寺西利治（筑波大/JST）・真島 豊（東工大/JST）  EMD2010-9 CPM2010-23 OME2010-28 |
[more] | EMD2010-9 CPM2010-23 OME2010-28 pp.1-5 |
| EMD, CPM, OME (共催) |
2010-06-25 14:25 |
東京 | 機械振興会館 地下3階研修2号室 | ポルフィリン自己組織化単分子膜によるペンタセンTFTの接触抵抗の低減 ○東 康男・鈴木太陽（東工大/JST）・山田泰之・田中健太郎（名大/JST）・金原正幸・寺西利治（筑波大/JST）・真島 豊（東工大/JST） EMD2010-10 CPM2010-24 OME2010-29 |
[more] | EMD2010-10 CPM2010-24 OME2010-29 pp.7-12 |
| EMD, CPM, OME (共催) |
2010-06-25 14:50 |
東京 | 機械振興会館 地下3階研修2号室 | キラルなポリジアセチレン薄膜の作製とその重合過程の検討 ○金 英輝・篠 竜徳・大嶋優記・間中孝彰・岩本光正（東工大） EMD2010-11 CPM2010-25 OME2010-30 |
光重合過程への円偏光の導入により、キラルなポリジアセチレン(PDA)薄膜の作製が可能である。本手法では、モノマー蒸着時の... [more] | EMD2010-11 CPM2010-25 OME2010-30 pp.13-17 |
| EMD, CPM, OME (共催) |
2010-06-25 15:15 |
東京 | 機械振興会館 地下3階研修2号室 | 走査トンネル顕微鏡を用いたポルフィリン分子の電気的特性の観察 ○加納伸也・皆川慶嘉・東 康男（東工大/JST）・山田泰之・田中健太郎（名大/JST）・真島 豊（東工大/JST） EMD2010-12 CPM2010-26 OME2010-31 |
我々は走査トンネル顕微鏡(Scanning Tunneling Microscopy : STM)/走査トンネル分光(S... [more] | EMD2010-12 CPM2010-26 OME2010-31 pp.19-23 |
| EMD, CPM, OME (共催) |
2010-06-25 15:55 |
東京 | 機械振興会館 地下3階研修2号室 | ガスフロースパッタ法により低温で成長したAlドープZnO薄膜の電気的・光学的性質の酸素量依存性 ○須藤隆吉・近藤祐邦・佐久間洋志・石井 清（宇都宮大）・荒巻慶輔・Kyungsung Yun・近藤洋文（ソニーケミカル&インフォメーションデバイス） EMD2010-13 CPM2010-27 OME2010-32 |
[more] | EMD2010-13 CPM2010-27 OME2010-32 pp.25-29 |
| EMD, CPM, OME (共催) |
2010-06-25 16:20 |
東京 | 機械振興会館 地下3階研修2号室 | ハンマリング加振機構による電気接点の劣化現象 ～ 接触抵抗について（12） ～ 和田真一・○越田圭治・園田健人・サインダー ノロブリン・小田部正能・久保田洋彰（TMCシステム）・澤 孝一郎（慶大名誉教授/日本工大） EMD2010-14 CPM2010-28 OME2010-33 |
著者らは，摺動接触機構を用いて，摺動力2.0Nおよび0.3N，摺動振幅±5.0μmおよび±10.0μmの条件で，それぞれ... [more] | EMD2010-14 CPM2010-28 OME2010-33 pp.31-36 |
| EMD, CPM, OME (共催) |
2010-06-25 16:45 |
東京 | 機械振興会館 地下3階研修2号室 | ハンマリング加振機構による電気接点の劣化現象 ～ 摺動機構のモデリング（1） ～ ○和田真一・越田圭治・園田健人・サインダー ノロブリン・小田部正能・久保田洋彰（TMCシステム）・澤 孝一郎（慶大名誉教授/日本工大） EMD2010-15 CPM2010-29 OME2010-34 |
著者らは，摺動接触機構において，摺動力2.0N/pinおよび0.3N/pin，摺動振幅±5.0μmおよび±10.0μmの... [more] | EMD2010-15 CPM2010-29 OME2010-34 pp.37-42 |
| EMD, CPM, OME (共催) |
2010-06-25 17:10 |
東京 | 機械振興会館 地下3階研修2号室 | 銅箔の直接電磁圧接 ○相沢友勝（都立産技高専）・杉山善崇（矢崎総業）・岡川啓悟（都立産技高専） EMD2010-16 CPM2010-30 OME2010-35 |
間隙を設けて重ねた銅箔の外側を絶縁し，電流集中部分の幅が１mmの平板状ワンターンコイルの上に固定し，コンデンサ電源からコ... [more] | EMD2010-16 CPM2010-30 OME2010-35 pp.43-46 |
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