研究会 - マイクロ波研究会 (MW)

お知らせ 2023年度・2024年度学生員会費割引キャンペーン実施中です
お知らせ技術研究報告と和文論文誌Ｃの同時投稿施策(掲載料1割引き)について
お知らせ電子情報通信学会における研究会開催について
お知らせ NEW 参加費の返金について

電子情報通信学会研究会発表申込システム
研究会開催スケジュール

技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ

[Japanese] / [English]

（

研究会名/開催地/テーマ

）→

（

講演検索

検索語: / 範囲:題目著者所属抄録キーワード

）→

マイクロ波研究会 (MW) (検索条件: 2005年度)

「from:2006-01-18 to:2006-01-18」による検索結果

[マイクロ波研究会ホームページへ]

講演検索結果

登録講演（開催プログラムが公開されているもの） （日付・昇順）

研究会	発表日時	開催地		タイトル・著者	抄録	資料番号
ED, MW (共催)	2006-01-18 13:30	東京	機械振興会館	フリップチップ実装技術を用いた低位相雑音76GHz帯プレーナー構造ガンVCO ○吉田　孝・深澤義道・出口忠義・川口　清・杉山隆啓・中川　敦（新日本無線）	フリップチップ実装技術を用いた低位相雑音76GHz帯プレーナ構造ガンVCOを開発した。主な特性は電源電圧3.3V（消費電... [more]	ED2005-192 MW2005-146 pp.1-5
ED, MW (共催)	2006-01-18 13:55	東京	機械振興会館	InP HEMT技術を用いた40Gbit/s動作デジタル回路 ○鈴木俊秀・川野陽一・中舎安宏・牧山剛三・高橋　剛・原　直紀・廣瀬達哉（富士通研）	0.13um InP系HEMT技術を用いて，40Gbit/s以上で動作可能なデジタルICを開発した．新規開発したマルチフ... [more]	ED2005-193 MW2005-147 pp.7-12
ED, MW (共催)	2006-01-18 14:20	東京	機械振興会館	80Gbit/s動作 InP HBT 1:4デマルチプレクサIC ○佐野公一・福山裕之・村田浩一・栗島賢二・柏尾典秀・榎木孝知・菅原裕彦（NTT）	[more]	ED2005-194 MW2005-148 pp.13-18
ED, MW (共催)	2006-01-18 14:45	東京	機械振興会館	120GHｚ帯10Gbit/s ワイヤレス通信用ミリ波MMIC導波管モジュール～非圧縮HD映像の多重伝送，ストレージ間データ転送装置へ向けて～ ○小杉敏彦・枚田明彦・徳光雅美・菅原裕彦（NTT）	[more]	ED2005-195 MW2005-149 pp.19-22
ED, MW (共催)	2006-01-18 15:20	東京	機械振興会館	ゲートにより制御するホットエレクトロントランジスタにおける電流量の増大 ○鹿嶋一生・諏訪　輝（東工大）・宮本恭幸・古屋一仁（東工大/JST）	[more]	ED2005-196 MW2005-150 pp.23-28
ED, MW (共催)	2006-01-18 15:45	東京	機械振興会館	ゲートにより制御するホットエレクトロントランジスタの高周波特性予測 ○町田信也（東工大/JST）・五十嵐満彦・山田朋宏（東工大）・宮本恭幸・古屋一仁（東工大/JST）	走行領域を全て真性半導体とし、ゲート金属により電流制御を行うホットエレクトロントランジスタの高速特性解析を、フルバンドモ... [more]	ED2005-197 MW2005-151 pp.29-32
ED, MW (共催)	2006-01-18 16:10	東京	機械振興会館	InGaP/GaAs ヘテロ接合バイポーラトランジスタ特性への表面再結合の影響 ○黒川愛里・金　智・小野　洋・内田和男・野崎眞次・森崎　弘（電通大）	[more]	ED2005-198 MW2005-152 pp.33-38
ED, MW (共催)	2006-01-19 10:20	東京	機械振興会館	GaN系FETにおける緩やかな電流応答と電流コラプスの解析高柳大樹・○板垣圭一・仲野博之・堀尾和重（芝浦工大）	半絶縁バッファ層中の深いドナーと深いアクセプタを考慮したGaN MESFETの２次元過渡解析を行い，その結果より模擬的な... [more]	ED2005-199 MW2005-153 pp.1-6
ED, MW (共催)	2006-01-19 10:45	東京	機械振興会館	AlGaN/GaN HEMTにおけるゲートラグ特性の評価 ○バシーレアルベルト・小谷淳二・橋詰　保（北大）	[more]	ED2005-200 MW2005-154 pp.7-12
ED, MW (共催)	2006-01-19 11:10	東京	機械振興会館	GaN系MIS構造の高温でのC-V評価 ○加藤寛樹・ミツェークマルチン・橋詰　保（北大）	[more]	ED2005-201 MW2005-155 pp.13-16
ED, MW (共催)	2006-01-19 11:35	東京	機械振興会館	格子整合系六方晶ＩｎＡｌＧａＮ四元混晶の禁制帯幅とボウイング定数 ○瀧澤俊幸・中澤敏志・上田哲三・田中　毅（松下電器）・江川孝志（名工大）	[more]	ED2005-202 MW2005-156 pp.17-21
ED, MW (共催)	2006-01-19 13:20	東京	機械振興会館	低温成長GaNキャップ層を用いたAlGaN/GaN HFET ○出口忠義・脇　英司・小野　悟・山下明一・鎌田　厚・中川　敦（新日本無線）・石川博康・江川孝志（名工大）	半絶縁性の低温成長GaN(LT-GaN)キャップ層を有するAlGaN/GaN へテロ接合トランジスタ(LT-GaN/Al... [more]	ED2005-203 MW2005-157 pp.23-27
ED, MW (共催)	2006-01-19 13:45	東京	機械振興会館	リセスオーミック電極を用いたSi基板上のAlGaN/GaN-HEMT ○見田充郎・海部勝晶・伊藤正紀・佐野芳明（OKI）・石川博康・江川孝志（名工大）	[more]	ED2005-204 MW2005-158 pp.29-34
ED, MW (共催)	2006-01-19 14:10	東京	機械振興会館	無極性(11-20)面上に形成されたAlGaN/GaNへテロ接合トランジスタのノーマリオフ動作 ○黒田正行・石田秀俊・上田哲三・田中　毅（松下電器）	GaN系化合物半導体は大きな絶縁破壊電界と飽和電子速度を有し、低オン抵抗と高耐圧を必要とする将来のパワーデバイスに向け非... [more]	ED2005-205 MW2005-159 pp.35-39
ED, MW (共催)	2006-01-19 14:45	東京	機械振興会館	0.15μmデュアルゲートAlGaN/GaN HEMTミキサー ○塩島謙次・牧村隆司・小杉敏彦・末光哲也・重川直輝・廣木正伸・横山春喜（NTT）	[more]	ED2005-206 MW2005-160 pp.41-44
ED, MW (共催)	2006-01-19 15:10	東京	機械振興会館	基地局向け3インチ導電性SiC基板上高均一GaN-HEMT ○吉川俊英・今西健治・金村雅仁・常信和清（富士通研）	[more]	ED2005-207 MW2005-161 pp.45-49
ED, MW (共催)	2006-01-19 15:35	東京	機械振興会館	高出力AlGaN/GaN MIS-HEMT ○金村雅仁・吉川俊英・岩井大介・今西健治・久保徳郎・常信和清（富士通研）	[more]	ED2005-208 MW2005-162 pp.51-55
ED, MW (共催)	2006-01-20 09:00	東京	機械振興会館	タップ給電/タップ段間結合を用いた有極形共振器BPFの設計に関する一検討～両端開放型共振器を適用した場合に着目して～和田光司・○松本　真・岩崎　俊（電通大）	[more]	ED2005-209 MW2005-163 pp.1-5
ED, MW (共催)	2006-01-20 09:25	東京	機械振興会館	有極特性を有する広帯域マイクロストリップ線路BPFの実験的検討～分布定数タップ結合共振器を用いた構成に着目して～ ○谷井宏成（電通大）・西村　太・笹部孝司・植野嘉章（松下電工）・和田光司・岩崎　俊（電通大）	[more]	ED2005-210 MW2005-164 pp.7-12
ED, MW (共催)	2006-01-20 09:50	東京	機械振興会館	コンポジット共振器とSIRを併用した広い阻止域を持つ有極形帯域通過フィルタ ○三木　仁・馬　哲旺・小林禧夫（埼玉大）・穴田哲夫（神奈川大）・萩原　玄（リンクサーキット）	本報告では、コンポジット共振器を用いた有極形帯域通過フィルタ(BPF)の阻止域特性を改善するために、コンポジット共振器と... [more]	ED2005-211 MW2005-165 pp.13-18

[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]

IEICE / 電子情報通信学会