研究会開催プログラム

お知らせ 2023年度・2024年度学生員会費割引キャンペーン実施中です
お知らせ技術研究報告と和文論文誌Ｃの同時投稿施策(掲載料1割引き)について
お知らせ参加費の返金について

電子情報通信学会研究会発表申込システム
研究会開催プログラム

技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ

トップ

戻る

前のED研究会 / 次のED研究会

[HTML] / [HTML(simple)] / [TEXT]

[Japanese] / [English]

電子デバイス研究会（ED）

[schedule] [select]

専門委員長		須原理彦 (首都大)
副委員長		藤代博記 (東京理科大)
幹事		大石敏之 (佐賀大)，岩田達哉 (富山県立大)
幹事補佐		小谷淳二 (富士通研)，堤卓也 (NTT)

日時	2019年11月21日(木)　13:00 - 17:00 2019年11月22日(金)　09:00 - 12:30
議題	電子管と真空ナノエレクトロニクス
会場名	機械振興会館地下3階 2号室
住所	〒105-0011 東京都港区芝公園3-5-8
交通案内	東京メトロ日比谷線・・・・・・・神谷町駅下車徒歩8分
会場世話人連絡先	静岡大学電子工学研究所根尾陽一郎 053-478-1358
著作権について	以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
参加費について	この開催は「技報完全電子化」研究会です．参加費（ED研究会）についてはこちらをご覧ください．

11月21日(木) 午後 13:00 - 17:00
(1)	13:00-13:25	ルンゲ・クッタ・フェールベルグ4次法を用いた電磁界中の電子軌道の計算精度の検証 ED2019-59	○池田貴大・村田英一・下山　宏（名城大）
(2)	13:25-13:50	時間依存密度汎関数法によるカーボンナノチューブのエミッション電流の計算 ED2019-60	○樋口敏春，山田洋一・佐々木正洋（筑波大）
(3)	13:50-14:15	Si抵抗一体型フィールドエミッタアレイの製作 ED2019-61	○新谷英世・村田英一・六田英治・下山　宏（名城大）・長尾昌善・村上勝久（産総研）
(4)	14:15-14:40	転写モールド法微小突起型陰極アレイの誘電体膜厚による誘電体バリア放電特性 ED2019-62	○清水皓介・文　宗鉉（静岡大）
(5)	14:40-15:05	Ga液体金属電界放射陰極の特性評価 ED2019-63	○高藤祐太・根尾陽一郎・三村秀典（静岡大）
	15:05-15:20	休憩　（ 15分）
(6)	15:20-15:45	小型イオンエンジン用Graphene/SiO2/Si積層型mA級平面電子源の開発 ED2019-64	○古家　遼（横浜国大/産総研）・村上勝久・長尾昌善（産総研）・鷹尾祥典（横浜国大）
(7)	15:45-16:10	ボルケーノ構造フィールドエミッタアレイの大電流化 ED2019-65	○名渕雄太（産総研/静岡大）・長尾昌善・村上勝久（産総研）・三村秀典・根尾陽一郎（静岡大）
(8)	16:10-16:35	微小電子源を用いた真空集積回路創成のための技術的課題 ED2019-66	○後藤康仁（京大）
(9)	16:35-17:00	エレクトロスプレースラスタの高密度エミッタアレイ作製とイオン引き出し実験 ED2019-67	○鈴木貫太（横浜国大/産総研）・井上直樹（横浜国大）・長尾昌善・村上勝久（産総研）・クンプアンソマワン・原　史朗（産総研/ミニマルファブ推進機構）・鷹尾祥典（横浜国大）
11月22日(金) 午前 09:00 - 12:30
(10)	09:00-09:25	ホウ素添加ダイヤモンド薄膜の合成とキャリア密度評価 ED2019-68	○三宅　拓・中川央也・増澤智昭・青木　徹・三村秀典（静岡大）
(11)	09:25-09:50	放射線環境下のセンサ出力を伝送する線路において生成するガンマ線励起電流の評価 ED2019-69	○後藤康仁（京大）・奥野泰希（原子力機構）・佐藤信浩（京大）・秋吉優史（阪府大）・今泉　充（JAXA）・小林知洋（理研）・岡本　保（木更津高専）
(12)	09:50-10:15	K-Cs-Sbバイアルカリアルカリ光電面のin-situ特性評価 ED2019-70	○佐野祐輔・三村秀典・細田　誠・根尾陽一郎（静岡大）
	10:15-10:25	休憩　（ 10分）
(13)	10:25-10:50	n型ダイヤモンド酸素終端表面からの電子放出のエネルギー分析 ED2019-71	○増澤智昭・根尾陽一郎・三村秀典（静岡大）・岡野　健（国際基督教大）・山田貴壽（産総研）
(14)	10:50-11:15	二次電子放出効率を制御した高速電子方式撮像管 ED2019-72	○仲田真人・三村秀典・畑中義式・増澤智昭・根尾陽一郎（静岡大）
(15)	11:15-11:40	Sub-band formation in amorphous Selenium superlattice and its controlled physical properties ED2019-73	○Joshua D. John・Kunitaka Enomoto・Noritoshi Miyachi（ICU）・Tomoaki Masuzawa（Shizuoka U.）・Takatoshi Yamada（AIST）・Shun Okano（TUC）・Ken Okano（ICU）
(16)	11:40-12:05	ガンマ線照射下におけるFEAの特性測定装置とそれを用いた電子放出特性の評価 ED2019-74	○後藤康仁・森藤瑛之・半田裕典（京大）・長尾昌善（産総研）・佐藤信浩（京大）・秋吉優史（阪府大）・高木郁二（京大）・岡本　保（木更津高専）
(17)	12:05-12:30	Graphene/h-BNの積層構造を用いた平面型電子源 ED2019-75	○猪狩朋也（筑波大/産総研）・長尾昌善（産総研）・三石和貴（物質・材料研究機構）・佐々木正洋・山田洋一（筑波大）・村上勝久（産総研/筑波大）

講演時間
一般講演	発表 20 分＋質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
ED	電子デバイス研究会（ED） [今後の予定はこちら]
	問合先	東脇正高（情報通信研究機構） TEL : 042-327-6092 Fax : 042-327-5527 E- : m 大石敏之(佐賀大学) TEL : 0952-28-8642 E- :oi104cc-u