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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| MW | 2011-04-15 13:25 |
宮城 | 東北大学電気通信研究所 | 90nm CMOSプロセスを用いた60GHz帯高利得LNA ○五明克規・タ トァン タン・谷藤正一・亀田 卓・末松憲治・高木 直・坪内和夫（東北大）  MW2011-2 |
90nmシリコンCMOSプロセスを用いた60GHz帯 LNAの高利得化について検討を行った．より高いゲイン特性を得るため... [more] | MW2011-2 pp.7-10 |
| MW | 2010-05-13 16:00 |
兵庫 | 兵庫県立大学 | 11W出力バランス型C-X帯広帯域GaN HEMT増幅器 ○桑田英悟・山中宏治・桐越 祐・井上 晃・平野嘉仁（三菱電機） MW2010-17 |
GaN HEMT (Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor)... [more] | MW2010-17 pp.17-22 |
| ED, MW (共催) |
2010-01-15 10:55 |
東京 | 機械振興会館 | 低電圧・広帯域動作CDMA用HBT電力増幅器 ○山本和也・岡村篤司・松塚隆之・吉井 泰・鈴木 敏・中山正敏・紫村輝之・吉田直人（三菱電機） ED2009-193 MW2009-176 |
本報告では，CDMA用に開発した低電圧・広帯域動作HBT電力増幅器(PA)の設計及び実験結果について述べる．本PAは，コ... [more] | ED2009-193 MW2009-176 pp.105-110 |
| OPE, EMT, MW (共催) |
2009-07-31 09:50 |
北海道 | 旭川市民文化会館 | C-Ku帯GaN HEMT3倍帯域高効率高出力増幅器 ○桑田英悟・山中宏治・桐越 祐・井上 晃・平野嘉仁（三菱電機） MW2009-68 OPE2009-68 |
GaN HEMT (Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor)... [more] | MW2009-68 OPE2009-68 pp.205-209 |
| MW, ED (共催) |
2009-01-14 14:25 |
東京 | 機械振興会館 | 出力容量を考慮した回路設計による増幅器の広帯域化 ○桑田英悟・山中宏治・桐越 祐・井上 晃・宮崎守泰（三菱電機） ED2008-200 MW2008-165 |
近年，UWBなどの広帯域通信システムや，無線通信基地局のマルチバンド化に対応する増幅器の共有化を背景として，増幅器の広帯... [more] | ED2008-200 MW2008-165 pp.11-15 |
| SR | 2007-05-25 13:00 |
東京 | 電気通信大学 | ソフトウェア無線・コグニティブ無線実現に向けた広帯域低雑音増幅器の高線形化に関する検討 ○川島宗也・山口 陽・西川健二郎・上原一浩（NTT） SR2007-14 |
高線形性を有した広帯域低雑音増幅器について報告する．提案する広帯域低雑音増幅器は，インダクタ，抵抗，電流源から構成される... [more] | SR2007-14 pp.79-83 |
| MW | 2005-09-12 11:10 |
東京 | 青山学院大学 | アクティブバランを付加したUWB自己補対アンテナ駆動用ＩｎGａP/GaAs HBT増幅器 ○中川 到（電通大）・島田雅夫（ナノテコ）・石川 亮（電通大）・本城和彦（電通大/ナノテコ） |
UWB用平衡入力自己補対アンテナを直接駆動するために、アクティブバランを付加したInGaP/GaAs HBT MMIC増... [more] | MW2005-66 pp.21-26 |
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