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電子デバイス研究会 (ED)  (検索条件: 2006年度)

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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED, CPM, LQE
(共催)		 2006-10-06
15:35		 京都 京都大学 n-GaN/p-SiC/n-SiCヘテロ接合バイポーラトランジスタのエミッタ接合電気的特性に対するアクセプタ濃度の影響
○甘利浩一・須田　淳・木本恒暢（京大） 		 [more] ED2006-172 CPM2006-109 LQE2006-76
pp.107-112
ED, CPM, LQE
(共催)		 2006-10-06
16:00		 京都 京都大学 SiC表面の直接窒化とXPSによる窒化層の評価
山口哲生・石田芳樹・陳　晨・萩原正宜・林部林平・山上朋彦・阿部克也・○上村喜一（信州大） 		 [more] ED2006-173 CPM2006-110 LQE2006-77
pp.113-116
ED, CPM, LQE
(共催)		 2006-10-06
16:25		 京都 京都大学 ECR-MBE法による加工基板上InNナノドットの配列・サイズ制御
○山口泰平・直井弘之・荒木　努・名西やすし（立命館大） 		 [more] ED2006-174 CPM2006-111 LQE2006-78
pp.117-120
ED, CPM, LQE
(共催)		 2006-10-06
16:50		 京都 京都大学 ECR-MBE法によるSi基板上InN薄膜成長のN2+イオンダメージ軽減の効果
○淀　徳男・嶋田照也・田川澄人・西本　亮・日高志郎・石井圭太・瀬川紘史・平川順一・原田義之（阪工大） 		ECR-MBE法の問題点として、成長薄膜にダメージを与える窒素分子イオンがECRプラズマ中で発生するため、InNの成長に... [more] ED2006-175 CPM2006-112 LQE2006-79
pp.121-125
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