| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2006-10-06 16:50
ECR-MBE法によるSi基板上InN薄膜成長のN2+イオンダメージ軽減の効果
○淀 徳男・嶋田照也・田川澄人・西本 亮・日高志郎・石井圭太・瀬川紘史・平川順一・原田義之（阪工大） |
| 抄録 |
（和） |
ECR-MBE法の問題点として、成長薄膜にダメージを与える窒素分子イオンがECRプラズマ中で発生するため、InNの成長に大きな問題となっていた。このイオンダメージを抑制するための改善策として、基板にバイアスをかける方法、磁界を用いる方法があるが、我々はInN成長時の窒素プラズマ条件を詳細に検討し、この問題点の改善を試みた。 |
| （英） |
The problem of ECR-MBE method is to generate the N2+ ion from ECR plasma during growth that damages the film. The bad influence of ion damage becomes bigger problem in InN growth. There are two methods using the substrate bias and the magnetic field in order to control the ion damage. However, we have investigated influence of the plasma condition on the crystalline quality and tried to improve this problem in this report. |
| キーワード |
（和） |
六方晶InN / ECR-MBE法 / ECRプラズマ / Si(111)基板 / イオンダメージ / PL発光 / / |
| （英） |
Hexagonal InN / ECR-plasma assisted MBE / ECR-plasma / Si(111) substrate / ion damage / PL emission / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 106, no. 269, ED2006-175, pp. 121-125, 2006年10月. |
| 資料番号 |
ED2006-175 |
| 発行日 |
2006-09-28 (ED, CPM, LQE) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 |
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