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研究会
発表日時
開催地
タイトル・著者
抄録
資料番号
SCE
2023-08-08
13:00
神奈川
横浜国立大学
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
動特性を考慮したインパルス駆動型メモリセルの詳細設計
○
佐藤太一
・
藤澤日向
・
東 正志
・
竹下雄登
・
李 峰
・
田中雅光
・
藤巻 朗
(
名大
)
SCE2023-6
ワード線やビット線の充放電時間によりその動作速度が制限されていた従来のマトリクスメモリの課題を抜本的に解決するインパルス...
[more]
SCE2023-6
pp.28-33
SCE
2023-08-08
14:25
神奈川
横浜国立大学
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
断熱量子パラメトロン論理ゲートのタイミング特性の評価
○
星加 優
・
アヤラ クリストファー
・
吉川信行
(
横浜国大
)
SCE2023-9
[more]
SCE2023-9
pp.45-48
SCE
2022-08-09
11:25
ONLINE
オンライン開催(現地開催は中止)
高い磁気結合を得るためのπ接合を用いたSQUIDの解析
○
東 正志
・
竹下雄登
・
藤澤日向
・
李 峰
・
田中雅光
・
藤巻 朗
(
名大
)
SCE2022-5
超伝導集積回路においては磁気結合がしばしば求められ、そこでは高い結合係数が求められる。本研究では、超伝導ループ内にπ位相...
[more]
SCE2022-5
pp.24-29
SCE
2019-08-09
11:15
茨城
産業技術総合研究所
微小Josephson接合列の輻射検出器としての利用性の評価
○
鈴木俊貴
・
カニョロ ゴドゥウィリ ビティ
・
西垣宏志
・
水柿義直
・
島田 宏
(
電通大
)
SCE2019-11
微小Josephson接合列においてはその特有の電気伝導特性としてCoulomb閉塞が生じるが,マイクロ波を照射するとC...
[more]
SCE2019-11
pp.15-19
SCE
2018-01-31
09:30
東京
機械振興会館
垂直磁界印加時におけるジョセフソン電流の二次元磁界変調特性
○
渡邉騎通
・
江花昭哉ショーン
・
小林一樹
・
彦坂卓哉
・
鈴木敦之
・
阿部 晋
・
中山明芳
(
神奈川大
)
SCE2017-31
Nb/Al-AlOx/Nbジョセフソン接合のbase Nb層に、複数のジョセフソン接合を作製し、それぞれのジョセフソン接...
[more]
SCE2017-31
pp.1-5
SDM
2016-01-28
13:30
東京
機械振興会館
[招待講演]ファンデルワールス接合の作製と量子輸送現象
○
町田友樹
・
守谷 頼
・
佐田洋太
・
山口健洋
・
荒井美穂
・
矢吹直人
・
森川 生
・
増渕 覚
(
東大
)・
上野啓司
(
埼玉大
)
SDM2015-123
グラフェンや二次元層状物質をファンデルワールス力で積層した、ファンデルワールス接合を用いた新機能素子実現の試みについて述...
[more]
SDM2015-123
pp.13-16
SCE
2016-01-21
09:30
東京
機械振興会館
両極性出力型DFQアンプの提案と動作実証
○
渡邉智希
(
電通大
)・
島田 宏
・
水柿義直
(
電通大/JST
)
SCE2015-36
交流電圧標準への応用を目指し、単一磁束量子(Single Flux Quantum: SFQ)回路を用いた周波数変調型(...
[more]
SCE2015-36
pp.1-6
SCE
2016-01-21
11:10
東京
機械振興会館
SFQマスクROM用各種メモリセルの設計と動作検証
○
澤田和直
・
渡邉智希
(
電通大
)・
島田 宏
・
水柿義直
(
電通大/JST
)
SCE2015-40
超伝導単一磁束量子回路を用いてSFQマスクROM用各種メモリセルの開発を行った。SFQマスクROMは最終的に次世代交流電...
[more]
SCE2015-40
pp.23-28
SCE
2015-08-04
14:45
神奈川
横浜国立大学
DFQアンプの性能評価におけるSFQパルス列の入力方法
浦井芳彰
・
島田 宏
・○
水柿義直
(
電通大
)
SCE2015-11
次世代交流電圧標準の実現に向けて,単一磁束量子 (SFQ) 回路を用いた周波数変調型RSFQ-D/A変換器の研究がなされ...
[more]
SCE2015-11
pp.17-22
SCE
2015-01-22
09:50
東京
機械振興会館地下3階1号室
量子電流ミラー効果に基づく高精度な電流整数倍器の実現に向けた研究
○
武田晃一
・
宮脇健至
・
ガンドロシュラ スリニワス
・
石田千尋
・
萩原彩乃
・
水柿義直
・
島田 宏
(
電通大
)
SCE2014-49
我々は、静電的に結合された2本の微小ジョセフソン接合の線形配列間に見出された量子電流ミラー効果と呼ばれる直流電流の転写現...
[more]
SCE2014-49
pp.1-6
CPM
2014-10-24
17:20
長野
信州大学工学部 地域共同研究センター3階研修 キャンパスマップ17番
両面加工法で作製したBi-2212固有接合スタックの温度分布評価法の検討
○
西方 翼
・
小瀧侑央
・
加藤孝弘
・
石橋隆幸
・
安井寛治
(
長岡技科大
)
CPM2014-112
高温超伝導体Bi2Sr2CaCu2Ox(Bi-2212)単結晶は,超伝導体であるCuO2層(0.3nm)と絶縁体であるS...
[more]
CPM2014-112
pp.39-43
SCE
2014-07-23
13:50
東京
機械振興会館
単一磁束量子パルス周波数変調方式を利用した電圧波形発生器の試作
○
水柿義直
・
黒岩桂介
・
佐藤裕介
・
高橋義隆
・
島田 宏
(
電通大
)・
前澤正明
(
産総研
)
SCE2014-31
ジョセフソン効果を利用するディジタル-アナログ変換器(DAC)は,その動作原理から交流電圧標準への応用が期待されている。...
[more]
SCE2014-31
pp.43-46
SCE
2014-01-23
09:35
東京
機械振興会館地下3階2号室
交流プログラマブルジョセフソン電圧標準による10 Vrms波形生成と低周波サンプリング測定システムの開発
○
天谷康孝
・
丸山道隆
・
山森弘毅
(
産総研
)・
陳 士芳
(
台湾工技研究院
)・
藤木弘之
・
金子晋久
(
産総研
)
SCE2013-36
10 Hz以下の低周波交流電圧標準の確立を目指し,交流プログラマブルジョセフソン電圧標準(AC-PJVS: AC-Pro...
[more]
SCE2013-36
pp.7-12
SCE
2014-01-23
10:00
東京
機械振興会館地下3階2号室
磁場応答が非対称なジョセフソン接合でのゼロ・クロッシング・シャピロ・ステップ生成
○
高橋春菜
・
守屋雅隆
・
徳山貴斗
・
島田 宏
・
水柿義直
(
電通大
)
SCE2013-37
現在の直流電圧標準において,零バイアス電流軸を横切るシャピロ・ステップ(ゼロ・クロッシング・シャピロ・ステップ)は既に利...
[more]
SCE2013-37
pp.13-18
SCE
2014-01-23
11:00
東京
機械振興会館地下3階2号室
HTS薄膜を積層した高磁場耐性HTS-SQUIDの開発
○
廿日出 好
・
吉田圭佑
・
鹿毛孝浩
・
鈴木健文
・
田中三郎
(
豊橋技科大
)
SCE2013-39
本研究では,環境磁場中での安定・低ノイズ動作を可能とするため,高磁場耐性を有するHTS-SQUIDマグネトメータの開発を...
[more]
SCE2013-39
pp.25-29
SCE
2014-01-24
10:55
東京
機械振興会館地下3階2号室
BSCCOサブテラヘルツ発振素子の液体ヘリウム温度下での電流電圧特性と放射特性
○
八巻和宏
・
田村晃一
・
入江晃亘
(
宇都宮大
)
SCE2013-49
BSCCO単結晶をメサ状に加工した試料がテラヘルツ帯の電磁波を発振する現象が注目を集めている.発振素子には単位体積当たり...
[more]
SCE2013-49
pp.85-90
SDM
,
ED
(共催)
2013-02-28
09:50
北海道
北海道大学(百年記念会館)
散逸要素を組み込んだ単一電子素子・単一磁束量子素子での間欠発振
○
水柿義直
(
電通大
)
ED2012-139 SDM2012-168
単一電子トランジスタでは,微小トンネル接合での単一電子トンネリングにより,島電極上の電荷が離散的に変化する.また,超伝導...
[more]
ED2012-139
SDM2012-168
pp.59-64
SCE
2013-01-24
10:15
岡山
岡山大学
アンダーダンプ接合でのSFQ反射を利用する1000倍電圧増倍器の動作検証
○
佐藤裕介
・
守屋雅隆
・
島田 宏
・
水柿義直
(
電通大
)・
前澤正明
(
産総研
)
SCE2012-28
次世代交流電圧標準の実現に向けて, 単一磁束量子(SFQ)回路を用いたRSFQ-D/A変換器の研究がなされている. 近年...
[more]
SCE2012-28
pp.19-24
SCE
2011-10-12
13:25
東京
機械振興会館
SQUID共振を利用したサブミクロンAl接合容量の測定
菊池健人
・
守屋雅隆
・
島田 宏
・○
水柿義直
(
電通大
)
SCE2011-13
サブミクロンAl接合をもつデバイス作製にあたっては、接合容量をはじめ、抵抗やインダクタンスのデバイスパラメータを正確に決...
[more]
SCE2011-13
pp.7-12
SCE
2011-10-12
14:50
東京
機械振興会館
交流プログラマブル型ジョセフソン電圧標準の開発
○
丸山道隆
・
浦野千春
・
山田隆宏
・
山森弘毅
・
金子晋久
(
産総研
)
SCE2011-16
ジョセフソン効果を用いた標準電圧発生器(JVS)は,世界各国の標準研究所で直流電圧の校正用システムとして実用化されている...
[more]
SCE2011-16
pp.25-30
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