| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2016-01-21 11:10
SFQマスクROM用各種メモリセルの設計と動作検証 ○澤田和直・渡邉智希(電通大)・島田 宏・水柿義直(電通大/JST) SCE2015-40 |
| 抄録 |
(和) |
超伝導単一磁束量子回路を用いてSFQマスクROM用各種メモリセルの開発を行った。SFQマスクROMは最終的に次世代交流電圧標準向けSFQ-D/A変換器と組み合わせて使用する目的で開発を行っている。SFQ-D/A変換器と同一チップに実装するためにはROMの回路実装面積を一定の大きさ以下にする必要があるが、既存のセルライブラリを用いると実装面積が大きくなりすぎてしまう。そこでROM専用のセルを設計し、実装面積の削減を試みた。本研究で取り上げるセルでは、冗長な素子やセル内の空きスペースを減らすことで、既存セルライブラリ比65%の面積削減に成功した。AIST-STP2プロセスを用いて試作されたチップを4.2 K下で測定したところ、シミュレーションと同等の十分な動作余裕度を得ることができた。 |
| (英) |
We developed memory cells for an SFQ mask ROM that will be implemented with an SFQ-D/A converter, a candidate of next-generation AC voltage standards. The area occupancy of the SFQ mask ROM is required to be small enough for implementation on the same chip with the SFQ-D/A converter. We had first designed and tested SFQ ROM cells using an existing library. Although they worked correctly, we found that the cell sizes were large, not acceptable for high-density integration. Hence, we developed small ROM cells dedicated for the SFQ mask ROM. The cell areas are 65% reduced by eliminating verbose elements and unused spaces. We have measured test circuits fabricated using a Nb integration technology, and confirmed that the bias margins are almost the same magnitude as the simulation results. |
| キーワード |
(和) |
マスクROM / 単一磁束量子 / ジョセフソン効果 / 超伝導集積回路 / Nb/AlO2/Nb / / / |
| (英) |
Mask ROM / Single Flux Quantum / Josephson effect / Superconducting integrated circuits / NbAlO2/Nb / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 115, no. 412, SCE2015-40, pp. 23-28, 2016年1月. |
| 資料番号 |
SCE2015-40 |
| 発行日 |
2016-01-14 (SCE) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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SCE2015-40 |