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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| MW | 2018-05-25 11:35 |
京都 | 同志社大 | 5Gにおける高SHF帯・広帯域Massive MIMO向け28GHz帯4チャネル内蔵送受信RFコアチップ ○山本 航・堤 恒次・丸山隆也・藤原孝信・萩原達也・大澤 愛・下沢充弘（三菱電機）  MW2018-17 |
[more] | MW2018-17 pp.39-43 |
| RCS | 2017-06-23 15:10 |
沖縄 | 石垣商工会館 | HetNetのピコセル拡張に対するCQIテーブル切替え制御手法の提案 ○長沼紀裕・大澤 魁・大塚裕幸（工学院大） RCS2017-90 |
256-QAMなどの高次変調方式は限られた帯域幅内でデータレートを向上させるための重要な技術である．本稿では，256-Q... [more] | RCS2017-90 pp.239-244 |
| RCS | 2017-06-23 15:35 |
沖縄 | 石垣商工会館 | スモールセルへの256-QAMの適用に関する一検討 ○大澤 魁・長沼紀裕・大塚裕幸（工学院大） RCS2017-91 |
第5世代移動通信方式では，システム容量の増大と高速化が求められている．これらの要求に対してスモールセル，256-QAMな... [more] | RCS2017-91 pp.245-250 |
| RCS, SR, SRW (併催) |
2017-03-03 17:50 |
東京 | 東京工業大学 | マクロ／マイクロセルを基準とするスモールセル設計と256-QAMの適用に関する検討 ○藤原和哉・大澤 魁・長沼紀裕・大塚裕幸（工学院大） RCS2016-337 |
第5世代移動通信方式では，システム容量の増大と高速化が求められている．これらの要求に対してスモールセル，高周波数帯の利用... [more] | RCS2016-337 pp.271-276 |
| SDM | 2013-12-13 17:00 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | 界面にリンおよび窒素を導入した4H-SiC MOSFETのしきい値電圧不安定性の考察 ○金藤夏子・矢野裕司・大澤 愛・畑山智亮・冬木 隆（奈良先端大） SDM2013-132 |
シリコンカーバイド(SiC)製MOSFETは高耐圧でも低損失な新しいパワーデバイスとして期待されているが，しきい値電圧の... [more] | SDM2013-132 pp.97-100 |
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