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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2007-06-08
15:30
広島 広島大学(学士会館) Ge基板上へのPr酸化膜の作製と評価
坂下満男鬼頭伸幸名大)・酒井 朗阪大)・小川正毅財満鎭明名大SDM2007-51
High-kゲート絶縁膜によるGeチャネルMOSFETは高機能デバイスとして期待され、注目されている。我々はパルスレーザ... [more] SDM2007-51
pp.107-111
RCS, AP, WBS, SR, MW, MoNA
(併催)
2006-03-03
15:40
神奈川 YRP 超高周波帯高誘電率薄板伝送線路
黒木太司宮本和哉呉高専
誘電体線路の量産化を目的とし,高誘電率誘電体薄板で構成した新たな伝送線路を提案した。この伝送線路は遮断平行平板導波管内の... [more] MW2005-187
pp.49-52
RCS, AP, WBS, SR, MW, MoNA
(併催)
2006-03-03
16:00
神奈川 YRP 高誘電率誘電体基板を用いたパッチアンテナ
黒木太司・○瀧川雄介呉高専
アンテナの小型化を目的として,比誘電率が197からなる高誘電率誘電体基板上に線状アンテナを構成し,その放射特性を理論的,... [more] MW2005-188
pp.53-56
RCS, AP, WBS, SR, MW, MoNA
(併催)
2006-03-03
16:20
神奈川 YRP 高誘電率薄板伝送線路のミリ波伝送特性
黒木太司・○宮本和哉呉高専
誘電体線路の量産化を目的として提案された高誘電率誘電体薄板の伝送特性を,ミリ波帯で実験的に検討した。まず比誘電率90,及... [more] MW2005-189
pp.57-60
ICD, SDM
(共催)
2005-08-19
10:00
北海道 函館国際ホテル [特別招待講演]HfSiON ~ その高耐熱性に基づくhigh-kゲート絶縁膜としての期待と残された課題 ~
西山 彰小山正人上牟田雄一小池正浩飯島良介山口 豪鈴木正道井野恒洋小野瑞城東芝
MOS Trのスケーリングのためゲート絶縁膜の極薄膜化は必須となっているが、量子力学的トンネル電流の増加はSiONに代わ... [more] SDM2005-146 ICD2005-85
pp.19-24
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