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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| OPE, LQE (共催) |
2014-06-20 11:00 |
東京 | 機械振興会館 | CNT含有シリコンスロット導波路の作製と非線形光学特性 ○山田佐代子・福田晃士・桑江博之・水野 潤（早大）・高島 正（吉田機械興業）・大野翔太郎・松島裕一・石川 浩・宇髙勝之（早大）  OPE2014-13 LQE2014-18 |
単層カーボンナノチューブ(carbon nanotube, CNT)は通信波長帯において非線形光学効果を有するため、次世... [more] | OPE2014-13 LQE2014-18 pp.7-10 |
| OPE, OCS (共催) |
2014-05-16 09:55 |
東京 | 機械振興会館 | 2段接続MZIにおけるグラフェンによる屈折率変化を伴った可飽和吸収を用いた全光スイッチの検討 ○高橋みさき・岸川博紀・後藤信夫・柳谷伸一郎（徳島大） OCS2014-2 OPE2014-2 |
グラフェンを装荷あるいは挿入した光導波路における可飽和吸収は屈折率変化も伴うことが報告されている。これまでに2段のマッハ... [more] | OCS2014-2 OPE2014-2 pp.7-12 |
| MWP, EMT, PN, LQE, OPE, EST (共催) IEE-EMT (連催) [詳細] |
2014-01-24 10:55 |
京都 | 同志社大学（烏丸キャンパス） | 全光スイッチのための単層グラフェン垂直挿入型および装荷型光導波路における可飽和吸収特性の検討 ○高橋みさき・上田和生子・後藤信夫・柳谷伸一郎（徳島大） PN2013-88 OPE2013-202 LQE2013-188 EST2013-137 MWP2013-108 |
信号光の振幅制御による全光スイッチを提案し検討してきた。本スイッチは、2 段の縦続接続されたマッハ・ツェンダー干渉計から... [more] | PN2013-88 OPE2013-202 LQE2013-188 EST2013-137 MWP2013-108 pp.331-336 |
| PN, EMT, LQE, OPE, MWP, EST (共催) IEE-EMT (連催) [詳細] |
2013-01-25 10:55 |
大阪 | 大阪大学吹田キャンパス | 単層グラフェンの可飽和吸収特性を用いた高速導波路型全光スイッチの検討 ○大屋誠啓・岸川博紀・後藤信夫・柳谷伸一郎（徳島大） PN2012-55 OPE2012-164 LQE2012-156 EST2012-91 MWP2012-73 |
フォトニックネットワークにおいて高速な光パケットスイッチが不可欠となる。我々は、信号光の振幅制御による全光スイッチの検討... [more] | PN2012-55 OPE2012-164 LQE2012-156 EST2012-91 MWP2012-73 pp.187-192 |
| LQE, CPM, EMD, OPE, R (共催) |
2012-08-24 09:30 |
宮城 | 東北大学電気通信研究所 | PMMA含有SWNTを可飽和吸収体として用いた1.07μm帯受動モード同期Ybファイバレーザ ○吉田真人・堀 雄一郎・廣岡俊彦・中沢正隆（東北大） R2012-37 EMD2012-43 CPM2012-68 OPE2012-75 LQE2012-41 |
単層カーボンナノチューブ(Single-Wall Carbon Nanotube: SWNT)の緩和時間は1 ps以下と... [more] | R2012-37 EMD2012-43 CPM2012-68 OPE2012-75 LQE2012-41 pp.83-86 |
| OFT, OCS (併催) |
2009-08-28 14:35 |
北海道 | 千歳アルカディア・プラザ【変更】 | ポリアミドにP3HT含有単層カーボンナノチューブを塗布したフィルム状可飽和吸収体とフェムト秒ファイバレーザへの応用 ○正田史生・中沢正隆（東北大）・真多淳二・塚本 遵（東レ） OFT2009-29 |
単層カーボンナノチューブ(Single-Wall Carbon Nanotube : SWNT)は近赤外波長領域で1 p... [more] | OFT2009-29 pp.59-62 |
| OPE, EMD, CPM, LQE (共催) |
2009-08-21 09:00 |
宮城 | 東北大学 | 半導体量子井戸型素子を可飽和吸収体として用いた受動モード同期フェムト秒ファイバソリトンレーザ ○正田史生・中沢正隆（東北大）・秋本良一・石川 浩（産総研） EMD2009-44 CPM2009-68 OPE2009-92 LQE2009-51 |
半導体量子井戸中のサブバンド間遷移(Intersubband transition : ISBT)は、ある一定以上のTM... [more] | EMD2009-44 CPM2009-68 OPE2009-92 LQE2009-51 pp.93-96 |
| PN, OPE, OFT, LQE (共催) |
2005-01-28 10:00 |
大阪 | 大阪大学 | 超高速ＧａＮ／ＡｌＮサブバンド間遷移光スイッチのシミュレーション ○鈴木信夫・飯塚紀夫・金子 桂（東芝） |
不均一スペクトル拡がりや2次元モード分布等の影響も考慮したGaN系サブバンド間遷移光スイッチのシミュレータを開発し，実験... [more] | PN2004-98 OFT2004-104 OPE2004-205 LQE2004-152 pp.1-6 |
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