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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| MW | 2017-05-18 15:25 |
大阪 | 大阪大学豊中キャンパス（大阪大学会館 セミナー室１） | 多層基板集積高耐電力2入力リング終端器 ○湯浅 健・石橋秀則・安藤晃洋・柴田博信・倉田 功・大和田 哲・米田尚史・宮崎守泰（三菱電機）  MW2017-11 |
[more] | MW2017-11 pp.19-23 |
| MW, OPE, EMT, MWP, EST (共催) IEE-EMT (連催) [詳細] |
2014-07-17 10:25 |
北海道 | 室蘭工業大 | 2倍波抑圧回路を有するX帯高効率高出力増幅器 ○桑田英悟・山中宏治・坂田修一・小山英寿・加茂宣卓・安藤晃洋・中原和彦・福本 宏（三菱電機） MW2014-54 OPE2014-23 EST2014-15 MWP2014-12 |
[more] | MW2014-54 OPE2014-23 EST2014-15 MWP2014-12 pp.7-10 |
| MW, ED (共催) |
2009-01-16 11:20 |
東京 | 機械振興会館 | ダイオードリニアライザによる高効率F級GaN HEMT電力増幅器のひずみ補償 ○安藤晃洋・高山洋一郎・吉田 剛・石川 亮・本城和彦（電通大） ED2008-222 MW2008-187 |
ダイオードリニアライザを用いて高効率F級GaN HEMT 電力増幅器のひずみ補償を行い，良好な特性を得た．まず，F級Ga... [more] | ED2008-222 MW2008-187 pp.135-139 |
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