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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| CPSY, DC (共催) IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB, IPSJ-ARC (共催) (連催) [詳細] |
2017-03-10 17:00 |
沖縄 | 具志川農村環境改善センター | ビッグデータ解析に向けたスケーラブルなデータセントリックコンバージドシステム ○佐々木勇輝・高橋健治・坂主圭史・木下敦寛（東芝）  CPSY2016-162 DC2016-108 |
成長を続けるIoT市場におけるデータ解析の要求に対応する為に、スケールアウト可能な分散アーキテクチャが求められている。し... [more] | CPSY2016-162 DC2016-108 pp.399-404 |
| ICD, SDM (共催) |
2009-07-16 15:50 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス 国際交流会館 | 微細High-k/メタルゲートデバイスにおけるキャリア移動度とTinvスケーリングの関係および22nmノードに向けたデバイス設計ガイドライン 後藤正和・○川中 繁・犬宮誠治・楠 直樹・齋藤真澄・辰村光介・木下敦寛・稲葉 聡・豊島義明（東芝） SDM2009-107 ICD2009-23 |
Tinvスケーリングとチャネル内キャリア移動度劣化のトレードオフに関し、極微細MOSFETを用いた実験データに基づき解析... [more] | SDM2009-107 ICD2009-23 pp.53-56 |
| SDM | 2009-06-19 15:40 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | LaまたはAl添加によるHfSiOn/SiO2界面のダイポール変調に起因する移動度低下と閾値電圧シフトとの相関関係 ○辰村光介・石原貴光・犬宮誠治・中嶋一明・金子明生・後藤正和・川中 繁・木下敦寛（東芝） SDM2009-39 |
high-k/SiO2界面のダイポール変調に起因するリモートクーロン散乱(RCS)による移動度低下と閾値電圧シフト(ΔV... [more] | SDM2009-39 pp.71-76 |
| SDM | 2006-06-22 15:30 |
広島 | 広島大学, 学士会館 | Ni-FUSI/SiO(N)界面不純物効果とFUGE（Fully Germanided）電極の仕事関数決定要因の考察 ○土屋義規・吉木昌彦・木下敦寛・小山正人・古賀淳二・西山 彰（東芝） |
ゲート電極のメタル化技術（メタルゲート技術）における技術的課題である仕事関数（Φeff）制御について、我々の最近の検討結... [more] | SDM2006-64 pp.125-130 |
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