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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-06-19 15:40 LaまたはAl添加によるHfSiOn/SiO2界面のダイポール変調に起因する移動度低下と閾値電圧シフトとの相関関係 ○辰村光介・石原貴光・犬宮誠治・中嶋一明・金子明生・後藤正和・川中 繁・木下敦寛（東芝）  SDM2009-39 |
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| 抄録 | （和） | high-k/SiO2界面のダイポール変調に起因するリモートクーロン散乱(RCS)による移動度低下と閾値電圧シフト(ΔVt)との相関関係を、3通りのダイポール変調法、即ちAl添加、La添加、界面SiO2層の質の変化、を適応した系について調べた。ダイポール変調とは必ずしも関係しない界面準位増加やラフネス散乱増加に由来する散乱成分は実験的に抽出・分離した。Al添加によるダイポール変調に起因するRCSはΔVt増加に比例して増加する。一方、La添加に起因するRCSは一定値となり、ΔVtには依存しない。ΔVtに対する付加的散乱の不可避性をダイポール形成機構の2つのモデルに基づき議論する。 |
| （英） | Intrinsic correlation between mobility reduction by remote Coulomb scattering (RCS) and threshold voltage shift (ΔVt), both of which are induced by interface dipole modulation at high-k/SiO2 interface, is investigated. Three types of dipole modulation are examined; Al addition, La addition, and changing quality of interfacial SiO2 layer. Extrinsic scattering components due to increases of interface state and surface roughness are extracted and separated. It is found that RCS due to interface dipole modulation by Al addition increases with increasing ΔVt, while that by La addition is constant, independent of ΔVt. Inevitability of additional scattering for ΔVt is discussed based on two different models for dipole formation mechanisms. Keyword MISFET, high-k, interface dipole, mobility, threshold voltage, HfSiON, La addition, Al addition |
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| キーワード | （和） | MISFET / high-k / 界面ダイポール / 移動度 / 閾値電圧 / HfSiON / La / Al |
| （英） | MISFET / high-k / interface dipole / mobility / threshold voltage / HfSiON / La / Al | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 87, SDM2009-39, pp. 71-76, 2009年6月. | |
| 資料番号 | SDM2009-39 | |
| 発行日 | 2009-06-12 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2009-39 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2009-06-19 - 2009-06-19 |
| 開催地（和） | 東京大学（生産研An棟） |
| 開催地（英） | An401・402 Inst. Indus. Sci., The Univ. of Tokyo |
| テーマ（和） | ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術（応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会、第113研究集会「ゲートスタック研究の進展－Ge系材料を中心に」との合同開催） |
| テーマ（英） | Science and Technology for Dielectric Thin Films for MIS Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2009-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | LaまたはAl添加によるHfSiOn/SiO2界面のダイポール変調に起因する移動度低下と閾値電圧シフトとの相関関係 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Intrinsic Correlation between Mobility Reduction and Vt shift due to Interface Dipole Modulation in HfSiON/SiO2 stack by La or Al addition |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | MISFET / MISFET |
| キーワード(2)（和/英） | high-k / high-k |
| キーワード(3)（和/英） | 界面ダイポール / interface dipole |
| キーワード(4)（和/英） | 移動度 / mobility |
| キーワード(5)（和/英） | 閾値電圧 / threshold voltage |
| キーワード(6)（和/英） | HfSiON / HfSiON |
| キーワード(7)（和/英） | La / La |
| キーワード(8)（和/英） | Al / Al |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 辰村 光介 / Kosuke Tatsumura / タツムラ コウスケ |
| 第1著者 所属（和/英） | （株）東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba Corp.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石原 貴光 / Takamitsu Ishihara / イシハラ タカミツ |
| 第2著者 所属（和/英） | （株）東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba Corp.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 犬宮 誠治 / Seiji Inumiya / イヌミヤ セイジ |
| 第3著者 所属（和/英） | （株）東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba Corp.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中嶋 一明 / Kazuaki Nakajima / ナカジマ カズアキ |
| 第4著者 所属（和/英） | （株）東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba Corp.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 金子 明生 / Akio Kaneko / カネコ アキオ |
| 第5著者 所属（和/英） | （株）東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba Corp.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 後藤 正和 / Masakazu Goto / ゴトウ マサカズ |
| 第6著者 所属（和/英） | （株）東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba Corp.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 川中 繁 / Shigeru Kawanaka / カワナカ シゲル |
| 第7著者 所属（和/英） | （株）東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba Corp.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 木下 敦寛 / Atsuhiro Kinoshita / キノシタ アツヒロ |
| 第8著者 所属（和/英） | （株）東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba Corp.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-06-19 15:40:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2009-39 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.87 |
| ページ範囲 | pp.71-76 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2009-06-12 (SDM) |
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