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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2018-11-08 13:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］先端半導体素子信頼性のデバイスシミュレーション ○石原貴光・松澤一也・内藤 毅・吉富貞幸（東芝メモリ）  SDM2018-67 |
[more] | SDM2018-67 pp.17-22 |
| SDM | 2014-11-06 14:40 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］電荷蓄積型メモリーのモデリング・シミュレーションと信頼性課題 ○石原貴光・安田直樹・藤井章輔（東芝） SDM2014-102 |
電荷蓄積層の欠陥準位への電子捕獲を利用した電荷蓄積型メモリーは、有力な次世代メモリー候補である．その動作機構は複雑であり... [more] | SDM2014-102 pp.37-42 |
| CAS (第二種研究会) |
2010-10-06 09:45 |
千葉 | 幕張メッセ | ［招待講演］DFRシミュレーション、デバイスから回路へ ○松澤一也・萩島大輔・石原貴光（東芝） |
LSIの価値には機能と性能だけでなく、長期信頼性も重要な要素として含まれる。従来は、膜レベルとデバイス・レベルでの信頼性... [more] | |
| SDM | 2009-06-19 15:40 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | LaまたはAl添加によるHfSiOn/SiO2界面のダイポール変調に起因する移動度低下と閾値電圧シフトとの相関関係 ○辰村光介・石原貴光・犬宮誠治・中嶋一明・金子明生・後藤正和・川中 繁・木下敦寛（東芝） SDM2009-39 |
high-k/SiO2界面のダイポール変調に起因するリモートクーロン散乱(RCS)による移動度低下と閾値電圧シフト(ΔV... [more] | SDM2009-39 pp.71-76 |
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