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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2010-10-21
16:40
宮城 東北大学 Effect of ultra-thin Yb layer on n-type characteristics of pentacene based MOS diodes
Young-uk SongHiroshi IshiwaraShun-ichiro OhmiTokyo Inst. of Tech.SDM2010-156
 [more] SDM2010-156
pp.21-24
SDM 2009-10-30
11:00
宮城 東北大学 Investigation of characteristics of pentacene-based MOSFETs structures
Young-Uk SongShun-ichiro OhmiHiroshi IshiwaraTokyo Inst. of Tech.SDM2009-127
 [more] SDM2009-127
pp.43-46
SDM, ED
(共催)
2009-06-24
16:15
海外 海雲台グランドホテル(釜山、韓国) Electrical characteristics of OFETs with thin gate dielectric
Young-uk SongShun-ichiro OhmiHiroshi IshiwaraTokyo Inst. of Tech.ED2009-63 SDM2009-58
In order to realize low voltage operation of pentacene-based... [more] ED2009-63 SDM2009-58
pp.59-62
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