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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
EE 2023-01-20
16:05
福岡 九州工業大学(戸畑キャンパス 附属図書館AVホール)
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
13.56MHz直列型LC共振インバータを駆動するパワーMOSFETの挙動
新井大輔大矢根 蒼米澤 遊今岡 淳山本真義名大EE2022-54
主スイッチとしてSiC-MOSFETをハーフブリッジ構成で使用し,13.56MHzで動作する直列型LC共振インバータにお... [more] EE2022-54
pp.157-162
ICD, CPSY, CAS
(共催)
2017-12-14
15:10
沖縄 アートホテル石垣島 Matrix Exponential法を用いたパワーMOSFETの過渡解析の高速化
亀井達也熊代成孝小林和淑京都工繊大CAS2017-87 ICD2017-75 CPSY2017-84
パワーデバイスの設計・開発において、シミュレーション時間の短縮が求められている。本研究では、デバイス過渡解析における正確... [more] CAS2017-87 ICD2017-75 CPSY2017-84
pp.107-112
EMD 2017-11-17
10:05
東京 電気通信大学 A Study of a Transient Current Switch Circuit Device of DC48V/100A for Suppressing Electrical Surge and Arc Ignition with Large Inductive Loads
Hiroaki TamuraShigeaki ShingyochiNIDEC COPAL ELECTRONICS)・Noboru WakatsukiIshinomaki Senshu Univ.EMD2017-43
We fabricated the TCS circuit device that could perform curr... [more] EMD2017-43
pp.1-6
SDM 2017-11-10
14:30
東京 機械振興会館 [招待講演]行列指数法によるデバイス過渡シミュレーションの正確な時間刻み指標
熊代成孝亀井達也廣木 彰小林和淑京都工繊大SDM2017-70
パワーデバイスの過渡シミュレーションの正確な時間刻み制御指標を提案する。本指標は行列指数法によって求められた、デバイス構... [more] SDM2017-70
pp.47-52
MW, ED
(共催)
2015-01-16
11:30
東京 機械振興会館 過渡応答測定とTCADによるGaNHEMTのトラップモデリング
山口裕太郎南條拓真小山英寿加茂宣卓山中宏治三菱電機)・大石敏之佐賀大ED2014-129 MW2014-193
GaNHEMTのバッファに位置するトラップの物理メカニズムに関して過渡応答測定とTCADシミュレーションを用いて実験と計... [more] ED2014-129 MW2014-193
pp.71-76
ED, MW
(共催)
2010-01-14
14:05
東京 機械振興会館 HfO2/AlGaN/GaN MOSFETの過渡応答解析
林 慶寿岸本 茂水谷 孝名大ED2009-186 MW2009-169
時間を考慮したデバイスシミュレーションを行うことで、HfO2/AlGaN/GaN MOSFETにおいてHfO2/AlGa... [more] ED2009-186 MW2009-169
pp.65-70
SANE 2007-12-21
13:55
埼玉 日本工業大学 DDS素子を用いたレーダRF信号発生源
三好壮人富士通システム統合研)・春田朋広小林弘一富士通SANE2007-97
近年のディジタル集積回路の高度化,高速化は目覚しく,以前では実現不可能であった構成の装置が実現できるようになっている.通... [more] SANE2007-97
pp.13-18
EE 2004-09-10
15:35
東京 機械振興会館 負荷急変時におけるVRMの出力電圧安定化のための電流補償回路
伊藤公一石塚洋一松尾博文長崎大
近年、CPUやDSPの動作電圧,電流は、低電圧化,大電流化が進み、このためのスイッチング電源は、VRM(Voltage ... [more] EE2004-33
pp.23-28
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