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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| EST, MW, EMT, OPE, MWPTHz (共催) IEE-EMT (連催) [詳細] |
2023-07-20 11:25 |
北海道 | 室蘭工業大学 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
伝熱シミュレーションを用いた相変化材料高周波デバイスの検討 ○佐藤 拓・山下晃司・岡部秀之・君島正幸（アドバンテスト研）  EMT2023-14 MW2023-32 OPE2023-14 EST2023-14 MWPTHz2023-10 |
相変化材料高周波スイッチデバイスのON-OFF切り替えは, 100~ns～1~$mu$s程度のパルスヒータ制御による加... [more] |
EMT2023-14 MW2023-32 OPE2023-14 EST2023-14 MWPTHz2023-10 pp.27-31 |
| EE | 2023-01-20 16:05 |
福岡 | 九州工業大学（戸畑キャンパス 附属図書館AVホール） （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
13.56MHz直列型LC共振インバータを駆動するパワーMOSFETの挙動 ○新井大輔・大矢根 蒼・米澤 遊・今岡 淳・山本真義（名大） EE2022-54 |
主スイッチとしてSiC-MOSFETをハーフブリッジ構成で使用し，13.56MHzで動作する直列型LC共振インバータにお... [more] | EE2022-54 pp.157-162 |
| ICD, CPSY, CAS (共催) |
2017-12-14 15:10 |
沖縄 | アートホテル石垣島 | Matrix Exponential法を用いたパワーMOSFETの過渡解析の高速化 ○亀井達也・熊代成孝・小林和淑（京都工繊大） CAS2017-87 ICD2017-75 CPSY2017-84 |
パワーデバイスの設計・開発において、シミュレーション時間の短縮が求められている。本研究では、デバイス過渡解析における正確... [more] | CAS2017-87 ICD2017-75 CPSY2017-84 pp.107-112 |
| EMD | 2017-11-17 10:05 |
東京 | 電気通信大学 | A Study of a Transient Current Switch Circuit Device of DC48V/100A for Suppressing Electrical Surge and Arc Ignition with Large Inductive Loads ○Hiroaki Tamura・Shigeaki Shingyochi（NIDEC COPAL ELECTRONICS）・Noboru Wakatsuki（Ishinomaki Senshu Univ.） EMD2017-43 |
We fabricated the TCS circuit device that could perform curr... [more] | EMD2017-43 pp.1-6 |
| SDM | 2017-11-10 14:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］行列指数法によるデバイス過渡シミュレーションの正確な時間刻み指標 ○熊代成孝・亀井達也・廣木 彰・小林和淑（京都工繊大） SDM2017-70 |
パワーデバイスの過渡シミュレーションの正確な時間刻み制御指標を提案する。本指標は行列指数法によって求められた、デバイス構... [more] | SDM2017-70 pp.47-52 |
| MW, ED (共催) |
2015-01-16 11:30 |
東京 | 機械振興会館 | 過渡応答測定とTCADによるGaNHEMTのトラップモデリング ○山口裕太郎・南條拓真・小山英寿・加茂宣卓・山中宏治（三菱電機）・大石敏之（佐賀大） ED2014-129 MW2014-193 |
GaNHEMTのバッファに位置するトラップの物理メカニズムに関して過渡応答測定とTCADシミュレーションを用いて実験と計... [more] | ED2014-129 MW2014-193 pp.71-76 |
| ED, MW (共催) |
2010-01-14 14:05 |
東京 | 機械振興会館 | HfO2/AlGaN/GaN MOSFETの過渡応答解析 ○林 慶寿・岸本 茂・水谷 孝（名大） ED2009-186 MW2009-169 |
時間を考慮したデバイスシミュレーションを行うことで、HfO2/AlGaN/GaN MOSFETにおいてHfO2/AlGa... [more] | ED2009-186 MW2009-169 pp.65-70 |
| SANE | 2007-12-21 13:55 |
埼玉 | 日本工業大学 | DDS素子を用いたレーダRF信号発生源 ○三好壮人（富士通システム統合研）・春田朋広・小林弘一（富士通） SANE2007-97 |
近年のディジタル集積回路の高度化，高速化は目覚しく，以前では実現不可能であった構成の装置が実現できるようになっている．通... [more] | SANE2007-97 pp.13-18 |
| EE | 2004-09-10 15:35 |
東京 | 機械振興会館 | 負荷急変時におけるVRMの出力電圧安定化のための電流補償回路 ○伊藤公一・石塚洋一・松尾博文（長崎大） |
近年、CPUやDSPの動作電圧，電流は、低電圧化，大電流化が進み、このためのスイッチング電源は、VRM（Voltage ... [more] | EE2004-33 pp.23-28 |
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