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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2017-11-10 14:30 ［招待講演］行列指数法によるデバイス過渡シミュレーションの正確な時間刻み指標 ○熊代成孝・亀井達也・廣木 彰・小林和淑（京都工繊大）  SDM2017-70 |
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| 抄録 | （和） | パワーデバイスの過渡シミュレーションの正確な時間刻み制御指標を提案する。本指標は行列指数法によって求められた、デバイス構造全体の主要応答時定数の指数項を含んでいる。本指標は、デバイスの主要応答部分に着目して局所打切り誤差をより正確に評価するため、局所打切り誤差を2次微係数で近似した従来の指標よりも、大きな時間刻み幅を許容することが出来る。本手法により、シリコンパワーDMOSFETの主要過渡応答部分の電流精度を保証しつつ、シミュレーション時間を従来手法の30%に低減することが出来る。 |
| （英） | An accurate metric for the time step control in the power device transient simulation is proposed. This metric contains an exponential term of the dominant time constant of the whole device structure obtained by the matrix exponential method. The proposed metric allows larger time step widths than the conventional metric of the 2nd-order approximation of the local truncation error because it focuses on the dominant part of the transient response and its truncation error approximation is more accurate. Total CPU-time of the transient simulation of a silicon power DMOSFET by using the proposed method decreases down to 30% of that by the conventional metric with assuring the current accuracy of the dominant transient response. | |
| キーワード | （和） | パワーデバイス / デバイス過渡解析 / 時間刻み制御 / 局所打切り誤差 / 行列指数法 / アーノルディ法 / / |
| （英） | Power device / Transient device simulation / Time step control / Local truncation error / Matrix exponential method / Arnoldi method / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 117, no. 290, SDM2017-70, pp. 47-52, 2017年11月. | |
| 資料番号 | SDM2017-70 | |
| 発行日 | 2017-11-02 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2017-70 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2017-11-09 - 2017-11-10 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
| テーマ（英） | Process, Device, Circuit simulation, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2017-11-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 行列指数法によるデバイス過渡シミュレーションの正確な時間刻み指標 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | An Accurate Metric to Control Time Step of Transient Device Simulation by Matrix Exponential Method |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | パワーデバイス / Power device |
| キーワード(2)（和/英） | デバイス過渡解析 / Transient device simulation |
| キーワード(3)（和/英） | 時間刻み制御 / Time step control |
| キーワード(4)（和/英） | 局所打切り誤差 / Local truncation error |
| キーワード(5)（和/英） | 行列指数法 / Matrix exponential method |
| キーワード(6)（和/英） | アーノルディ法 / Arnoldi method |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 熊代 成孝 / Shigetaka Kumashiro / クマシロ シゲタカ |
| 第1著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学 (略称： 京都工繊大) Kyoto Institute of Technology (略称： KIT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 亀井 達也 / Tatsuya Kamei / カメイ タツヤ |
| 第2著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学 (略称： 京都工繊大) Kyoto Institute of Technology (略称： KIT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 廣木 彰 / Akira Hiroki / ヒロキ アキラ |
| 第3著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学 (略称： 京都工繊大) Kyoto Institute of Technology (略称： KIT) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小林 和淑 / Kazutoshi Kobayashi / コバヤシ カズトシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学 (略称： 京都工繊大) Kyoto Institute of Technology (略称： KIT) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2017-11-10 14:30:00 |
| 発表時間 | 60分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2017-70 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | no.290 |
| ページ範囲 | pp.47-52 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2017-11-02 (SDM) |
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