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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2015-06-19 13:20 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | Tiナノドットを埋め込んだSiリッチ酸化膜の抵抗変化特性 ○加藤祐介・荒井 崇・大田晃生・牧原克典・宮崎誠一（名大）  SDM2015-46 |
リモートH2プラズマ(H2-RP)支援によるTiナノドットの形成とその埋め込みがSiOx膜の抵抗変化特性に与える影響につ... [more] | SDM2015-46 pp.41-45 |
| SDM | 2014-06-19 15:40 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | ［依頼講演］抵抗変化メモリにおけるナノ導通フィラメントの抵抗の温度依存性 ○大塚慎太郎・濱田佳典・清水智弘・新宮原正三（関西大） SDM2014-57 |
抵抗変化メモリは次世代不揮発性メモリとして期待されているが，抵抗変化のメカニズムが詳しく解明されていないことが問題である... [more] | SDM2014-57 pp.75-78 |
| SDM, OME (共催) |
2012-04-27 14:40 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | バイオナノプロセスを用いたフィラメント制御および抵抗変化メモリにおける効果 ～ 薄膜中の局所欠陥制御 ～ ○上沼睦典・番 貴彦・鄭 彬・山下一郎・浦岡行治（奈良先端大） SDM2012-4 OME2012-4 |
抵抗変化型メモリ（ReRAM）は、次世代の不揮発性メモリとして期待されている．その動作原理は、抵抗変化膜中に形成されるフ... [more] | SDM2012-4 OME2012-4 pp.15-20 |
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