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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
WPT, MW
(共催)
2015-04-16
14:00
東京 機械振興会館 ダブルストリップライン共振器を用いた超伝導送信用フィルタの耐電力特性
藤原幸貴關谷尚人山梨大WPT2015-1 MW2015-1
ダブルストリップライン共振器(DSR)構造送信用高温超伝導フィルタの耐電力特性を従来のマイクロストリップライン(MSL)... [more] WPT2015-1 MW2015-1
pp.1-4
SCE 2015-01-22
10:40
東京 機械振興会館地下3階1号室 超伝導単結晶バルク共振器を用いた100 W級送信用フィルタの開発
鶴井椋太齊藤 敦加藤知己齋藤大暉山形大)・手嶋英一新日鐵)・大嶋重利山形大SCE2014-51
高温超伝導体単結晶GdBa2Cu3Oy(GdBCO)バルクを用いた送信用超伝導ディスク型共振器フィルタの開発を行った. ... [more] SCE2014-51
pp.13-18
ED 2014-08-01
14:45
東京 機械振興会館B3-1室 GaAs JPHEMT P-Type Cap層によるオフ特性改善
竹内克彦谷口 理柳田将志ソニー)・佐々木有司中村光宏ソニーセミコンダクタ)・和田伸一ソニーED2014-58
低い挿入損失と良好な高調波歪特性により, Junction Pseudomorphic High Electron Mo... [more] ED2014-58
pp.29-34
MW 2012-12-14
09:30
山梨 山梨大学 ダブルストリップ共振器を用いた楕円関数型超伝導デュアルモードハイパワーフィルタの検討
松浦広和關谷尚人山梨大)・秋谷守紀田中佑斗大嶋重利山形大MW2012-134
ストリップライン構造を用いた高温超伝導送信用バンドパスフィルタ(BPF)の耐電力特性向上方法としてダブルストリップ共振器... [more] MW2012-134
pp.43-48
SCE, MW
(共催)
2012-04-20
14:50
東京 機械振興会館地下3階2号室 ダブルストリップ共振器を用いた送信用超伝導デュアルモードストリップラインフィルタの検討
松浦広和關谷尚人山梨大)・秋谷守紀田中佑斗大嶋重利山形大SCE2012-5 MW2012-5
ストリップライン構造を用いた高温超伝導送信用バンドパスフィルタ(BPF)の耐電力特性向上方法としてダブルストリップ共振器... [more] SCE2012-5 MW2012-5
pp.19-23
SCE, MW
(共催)
2010-04-23
09:20
東京 機械振興会館 ストリップライン構造を用いた高温超伝導送信用フィルタの基礎的検討
關谷尚人・○今井 望山本敬介中川恭彦山梨大)・齊藤 敦大嶋重利山形大SCE2010-1 MW2010-1
高温超伝導送信用フィルタの性能向上のためにストリップライン(SL)構造を用いることを提案しその有効性について基礎的な検討... [more] SCE2010-1 MW2010-1
pp.1-5
SCE, MW
(共催)
2010-04-23
09:45
東京 機械振興会館 分割・積層型マイクロストリップライン共振器を用いた超伝導フィルタの耐電力特性
遠藤之正小野 哲宇野正紘齊藤剛司小林巨卓紺野槙子龍口 司六鎗 潤齊藤 敦大嶋重利山形大SCE2010-2 MW2010-2
送信用超伝導フィルタの耐電力特性向上のためにマイクロストリップライン共振器(MSLR)を幅方向に分割した分割型MSLR、... [more] SCE2010-2 MW2010-2
pp.7-12
ED, MW
(共催)
2010-01-15
11:20
東京 機械振興会館 50%比帯域を有するX帯高耐電力GaN HEMT T/Rスイッチ
半谷政毅垂井幸宣加茂宣卓檜枝護重三菱電機ED2009-194 MW2009-177
X帯において50%の比帯域を有する高耐電力T/Rスイッチを開発した.本回路はSeries/Shunt-Shunt併用形構... [more] ED2009-194 MW2009-177
pp.111-115
MW, SCE
(共催)
2009-04-23
15:20
東京 機械振興会館 Gd(Dy)-Ba-Cu-O超伝導バルク共振器フィルタの作製と耐電力特性の評価
齊藤 敦山形大)・手嶋英一新日鐵)・小野 哲山形大)・李 宰勲SuNAM)・宇野正紘遠藤之正中島健介大嶋重利山形大SCE2009-8 MW2009-8
移動体通信システム内送信用超伝導フィルタ実現のために,改良型QMG法により作製した高温超伝導(HTS)バルクリング共振器... [more] SCE2009-8 MW2009-8
pp.39-43
MW 2009-03-06
15:40
東京 NHK技研(世田谷区砧) Ka帯オープン/ショートスタブ切替型ハイパワースイッチ
幸丸竜太半谷政毅中原和彦山口真美子檜枝護重三菱電機MW2008-204
マイクロ波送受信モジュールに用いられるLNA保護スイッチとして,遮断時に高耐電力特性,通過時に低損失特性を有するオープン... [more] MW2008-204
pp.81-86
SDM, ED
(共催)
2008-07-11
13:50
北海道 かでる2・7(札幌) SiC MESFET Power Amplifier for 3.6 GHz-3.8 GHz WiMAX Application
Jae-Kwon KimKyunghwan KimJinwook BurnSogang Univ.ED2008-99 SDM2008-118
Silicon-carbide (SiC) devices have received increased attent... [more] ED2008-99 SDM2008-118
pp.313-316
SCE, MW
(共催)
2008-04-22
10:50
東京 機械振興会館 NbN薄膜を用いた分割型マイクロストリップラインフィルタの耐電力特性
宇野正紘竹内慎治李 宰勲木野内大樹加藤卓也太田茂浩小野 哲齊藤 敦大嶋重利山形大SCE2008-6 MW2008-6
送信用超伝導フィルタ応用のためにエピタキシャルNbN薄膜を用いた分割型マイクロストリップライン共振器(MSLR)フィルタ... [more] SCE2008-6 MW2008-6
pp.31-36
SCE, MW
(共催)
2008-04-22
11:30
東京 機械振興会館 デュアルモードリング型超伝導フィルタの耐電力特性
石井雅俊赤瀬川章彦中西 輝山中一典富士通SCE2008-8 MW2008-8
移動体通信において急峻な周波数遮断特性をもつ送信用バンドパスフィルタの開発が進められている。その候補のひとつにデュアルモ... [more] SCE2008-8 MW2008-8
pp.43-46
ED, MW
(共催)
2008-01-17
13:25
東京 機械振興会館 2.5/3.5GHz帯WiMAX用HBT MMIC電力増幅器モジュール
宮下美代奥田敏雄久留須 整三菱電機)・島村将一小西晋輔Wave Technology)・宇土元純一松下 良佐々木喜伸鈴木 敏三浦 猛三菱電機)・高原良雄ルネサスセミコンダクタエンジニアリング)・小丸真樹雄山本和也三菱電機ED2007-220 MW2007-151
本報告では,2.5GHzおよび3.5GHz帯WiMAX用に開発した2つのGaAs-HBT MMIC電力増幅器モジュールの... [more] ED2007-220 MW2007-151
pp.77-82
MW, SCE
(共催)
2007-04-27
14:55
東京 機械振興会館 5GHz 帯送信用チューナブルフィルタの設計と試作
齊藤 敦竹内慎治大坂真野小野 哲木村雅芳木野内大樹山形大)・赤瀬川章彦山中一典栗原和明富士通)・平野 悟大嶋重利山形大SCE2007-9 MW2007-9
第4世代移動体通信用チューナブル送信用超伝導フィルタ応用のために5 GHz分割型マイクロストリップライン共振器(MSLR... [more] SCE2007-9 MW2007-9
pp.43-48
MW, SCE
(共催)
2007-04-27
15:20
東京 機械振興会館 隣接帯域ひずみ抑圧を目的とした5GHz高温超伝導リアクション送信フィルタ
二ッ森俊一日景 隆野島俊雄北大)・赤瀬川章彦中西 輝山中一典富士通SCE2007-10 MW2007-10
隣接帯域ひずみ抑圧を目的とした5 GHz帯高温超伝導リアクション送信フィルタを提案する.リアクション型フィルタは最も高電... [more] SCE2007-10 MW2007-10
pp.49-54
RCS, AP, WBS, SR, MW, MoNA
(併催)
2006-03-03
14:00
神奈川 YRP 並列化FET共振器を用いたミリ波高耐電力MMICスイッチ
半谷政毅西野 有宮口賢一檜枝護重遠藤邦浩宮崎守泰三菱電機
ミリ波帯において,低損失・高耐電力な特性を有するMMICスイッチを開発した.我々は,ピンチオフ状態におけるFETの並列抵... [more] MW2005-183
pp.29-32
MW 2005-09-12
14:50
東京 青山学院大学 携帯電話基地局適用を想定した超伝導リアクション型送信フィルタの基本構成法と特性推定
二ッ森俊一日景 隆野島俊雄北大
高温超伝導体(High-Temperature Superconductor ,HTS)を送信系に適用する場合,電流がデ... [more] MW2005-72
pp.55-60
MW, ED
(共催)
2005-01-18
09:20
東京 機械振興会館 ソースビア接地構造を用いたSi基板上350V/150A AlGaN/GaNパワーHFET
引田正洋柳原 学中澤一志上野弘明廣瀬 裕上田哲三上本康裕田中 毅上田大助松下電器)・江川孝志名工大
AlGaN/GaN HFETをパワースイッチングデバイスに応用するためには、デバイスの低オン抵抗化と高耐圧化の両立、およ... [more] ED2004-212 MW2004-219
pp.1-5
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