電子情報通信学会技術研究報告

Print edition: ISSN 0913-5685
Online edition: ISSN 2432-6380

vol. 105, no. 233

シリコン材料・デバイス

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SDM2005-143
-90dBc@10kHzの位相ノイズを実現するバンド幅制御機能付き分数分周シンセサイザの開発
○道正志郎・森江隆史・岡本好史・山田祐嗣・曽川和昭（松下電器）
pp. 1 - 6

SDM2005-144
ディジタルI/Qミスマッチ補正回路を搭載したLow-IF方式シングルチップCMOS Bluetooth-EDR送信機
○石黒仁揮・宮下大輔・島田太郎・香西昌平・小林弘幸・間島秀明・阿川謙一・濱田基嗣・羽鳥文敏（東芝）
pp. 7 - 12

SDM2005-145
セグメント反転構成とカスケード・ダイナミックエレメントマッチングを用いた106dBオーディオ用ディジタル-アナログ変換器
○井戸　徹・石塚総一郎（日本テキサス・インスツルメンツ）
pp. 13 - 18

SDM2005-146
［特別招待講演］HfSiON ～ その高耐熱性に基づくhigh-kゲート絶縁膜としての期待と残された課題 ～
○西山　彰・小山正人・上牟田雄一・小池正浩・飯島良介・山口　豪・鈴木正道・井野恒洋・小野瑞城（東芝）
pp. 19 - 24

SDM2005-147
Mixed Signal CMOS用HfSiON ゲート絶縁膜の最適化
○小島健嗣・飯島良介・大黒達也・渡辺　健・高柳万里子・百瀬寿代・石丸一成・石内秀美（東芝）
pp. 25 - 30

SDM2005-148
Hf系高誘電率ゲート絶縁膜のAl濃度変調及びパーシャルシリサイドゲート電極によるCMOS非対称閾値の改善
○門島　勝・小川有人・高橋正志（MIRAI-ASET）・太田裕之（MIRAI-ASRC）・三瀬信行・岩本邦彦（MIRAI-ASET）・右田真司（MIRAI-ASRC）・藤原英明・佐竹秀喜・生田目俊秀（MIRAI-ASET）・鳥海　明（MIRAI-ASRC/東大）
pp. 31 - 36

SDM2005-149
poly-Si電極における仕事関数変調とそのデバイスインパクト ～ SiON/poly-Si界面の微量Hfの効果 ～
○由上二郎（ルネサステクノロジ）・嶋本泰洋（日立）・井上真雄・水谷斉治・林　岳・志賀克哉・藤田文子・土本淳一・大野吉和・米田昌弘（ルネサステクノロジ）
pp. 37 - 42

SDM2005-150
MTJ抵抗比による電圧センス型1T2MTJ MRAM
○青木正樹・岩佐　拓・佐藤嘉洋（富士通研）
pp. 43 - 48

SDM2005-151
90nm GenericロジックCMOSプロセスを用いたメモリアレイ0.5V動作Asymmetric Three-Tr. Cell (ATC) DRAMの提案
○市橋　基（半導体理工学研究センター/ルネサステクノロジ）・戸田春希（半導体理工学研究センター/東芝）・伊藤寧夫（半導体理工学研究センター/東芝マイクロエレクトロニクス）・石橋孝一郎（半導体理工学研究センター/ルネサステクノロジ）
pp. 49 - 54

SDM2005-152
0.4V高速動作、長リテンション時間を実現する12F2ツインセルDRAMアレー
○竹村理一郎・伊藤清男・関口知紀・秋山　悟・半澤　悟（日立）・梶谷一彦（エルピーダメモリ）・河原尊之（日立）
pp. 55 - 60

SDM2005-153
AG-ANDフラッシュメモリにおける多値高速書込み技術 ～ 多値レベルに応じて最適容量を選択する改良型定電荷注入書込み方式 ～
○大津賀一雄・倉田英明（日立）・小堺健司・野田敏史（ルネサステクノロジ）・笹子佳孝・有金　剛・河村哲史・小林　孝（日立）
pp. 61 - 66

SDM2005-154
FinFETを用いたhp22nm node SRAMのロバストなデバイス設計
○岡野王俊・石田達也・佐々木貴彦・泉田貴士・近藤正樹・藤原　実・青木伸俊・稲葉　聡・大塚伸朗・石丸一成・石内秀美（東芝）
pp. 67 - 72

SDM2005-155
[パネルディスカッション] ゲートリークの救世主、それはHigh-k！
榎本忠儀（中大）・○高柳万里子（東芝）・佐藤成生（富士通）・新居浩二（ルネサステクノロジ）・西山　彰（東芝）・長谷　卓（NEC）・濱田基嗣（東芝）・由上二郎（ルネサステクノロジ）
pp. 73 - 78

今後、次の点を修正する予定です。(1)欠けている表紙画像・奥付画像を補完いたします。(2)欠けている発行日の情報を補完いたします。