電子情報通信学会技術研究報告

Print edition: ISSN 0913-5685
Online edition: ISSN 2432-6380

vol. 105, no. 329

レーザ・量子エレクトロニクス

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LQE2005-45
凹凸加工InNテンプレートを用いたInNの高品質化
○武藤大祐・直井弘之・荒木　努・北川幸雄・黒内正仁・羅　ヒョンソク・名西やすし（立命館大）
pp. 1 - 4

LQE2005-46
常圧MOVPE成長InNの電気的光学的特性における成長時のNH3/TMIモル比依存性
○三輪浩士・永井泰彦・橋本明弘・山本あきお（福井大）
pp. 5 - 8

LQE2005-47
ECR-MBE法による(10-12)サファイア基板上(11-20)InNの成長 ～ 無極性InNの検討 ～
○熊谷裕也・露口招弘・寺木邦子・荒木　努・直井弘之・名西やすし（立命館大）
pp. 9 - 12

LQE2005-48
原子状水素照射によるInNの極性評価
○早川祐矢・武藤大祐・直井弘之・鈴木　彰・荒木　努・名西やすし（立命館大）
pp. 13 - 16

LQE2005-49
RF-MBE法によるInN/InGaN多重量子井戸構造の成長と評価
○大橋達男・石沢峻介・Petter Holmström・菊池昭彦・岸野克巳（上智大）
pp. 17 - 21

LQE2005-50
RF-MBE法によるInN/InGaN量子井戸構造の作製とその評価
○黒内正仁・高堂真也・直井弘之・荒木　努・名西やすし（立命館大）
pp. 23 - 28

LQE2005-51
AlInN3元混晶の成長とInN/AlInN MQWs構造の作製評価
○寺嶋　亘・崔　成伯・石谷善博・吉川明彦（千葉大）
pp. 29 - 34

LQE2005-52
CP2Mgを用いたMOVPE成長InNのMgドーピング効果
○永井泰彦・三輪浩士・丹羽弘和・橋本明弘・山本あきお（福井大）
pp. 35 - 38

LQE2005-53
C帯170W出力GaN-HEMTの開発
○高田賢治・桜井博幸・松下景一・増田和俊・高塚眞治・蔵口雅彦・鈴木拓馬・鈴木　隆・広瀬真由美・川崎久夫・高木一考・津田邦男（東芝）
pp. 39 - 42

LQE2005-54
Effect of epitaxial layer crystal quality on DC and RF characteristics of AlGaN/GaN short-gate HEMTs
○Kenji Shiojima・Takashi Makimura・Tetsuya Suemitsu・Naoteru Shigekawa・Masanobu Hiroki・Haruki Yokoyama（NTT）
pp. 43 - 46

LQE2005-55
高温・高出力動作 Pnp AlGaN/GaN HBTs
○熊倉一英・牧本俊樹（NTT）
pp. 47 - 50

LQE2005-56
リセスゲートを用いたノーマリーオフAlGaN/GaN HEMT
○中田　健・川崎　健・八重樫誠司（ユーディナデバイス）
pp. 51 - 56

LQE2005-57
GaNに格子整合するInAlGaN 4元混晶キャップ層を用いたAlGaN/GaN ヘテロ接合トランジスタ
○中澤敏志・上田哲三・井上　薫・田中　毅（松下電器）・石川博康・江川孝志（名工大）
pp. 57 - 61

LQE2005-58
Si(111)基板上AlGaN/GaN HEMTの特性評価
○片山義章・石川博康・江川孝志（名工大）
pp. 63 - 66

LQE2005-59
AlGaN/GaN HFETのサブミクロンゲートにおける横方向トンネル輸送過程
○小谷淳二・葛西誠也・長谷川英機・橋詰　保（北大）
pp. 67 - 70

LQE2005-60
GaN バッファ層リーク電流とルミネセンス強度との相関に関する研究
○檜木啓宏（立命館大）・廣山雄一・土屋忠厳・山田朋幸・岩見正之・城川潤二郎（新機能素子研究開発協会）・荒木　努（立命館大）・鈴木　彰（新機能素子研究開発協会/立命館大）・名西やすし（立命館大）
pp. 71 - 74

LQE2005-61
AlGaN/GaN HEMTのゲートリーク
○山田朋幸・土屋忠厳・城川潤二郎・岩見正之（新機能素子研究開発協会）・荒木　努（立命館大）・鈴木　彰（新機能素子研究開発協会/立命館大）・名西やすし（立命館大）
pp. 75 - 78

LQE2005-62
Ni/i-AlGaN/GaNゲート構造の電気的特性評価と熱処理の影響
○澤田孝幸・米田里志・高橋健輔（北海道工大）・金　聖祐・鈴木敏正（日本工大）
pp. 79 - 84

LQE2005-63
n+GaN/undoped GaN構造上に作成された表面弾性波デバイス特性
○重川直輝・西村一巳・横山春喜（NTT）・宝川幸司（神奈川工科大）
pp. 85 - 88

LQE2005-64
RF-MBE選択成長法を用いたAlGaN/GaNナノ細線ネットワークの形成
○及川　武・佐藤威友・長谷川英機・橋詰　保（北大）
pp. 89 - 92

LQE2005-65
薄層AlGaN障壁層を用いたミリ波帯短ゲートAlGaN/GaN HFET
○東脇正高・小野島紀夫・松井敏明（NICT）
pp. 93 - 96

今後、次の点を修正する予定です。(1)欠けている表紙画像・奥付画像を補完いたします。(2)欠けている発行日の情報を補完いたします。