Print edition: ISSN 0913-5685
Online edition: ISSN 2432-6380
[TOP] | [2006] | [2007] | [2008] | [2009] | [2010] | [2011] | [2012] | [Japanese] / [English]
ED2005-173
[招待講演]低温多結晶シリコン薄膜トランジスタの信頼性評価技術
○浦岡行治・冬木 隆(奈良先端大)
pp. 1 - 6
ED2005-174
[招待講演]有機ELディスプレイ用水蒸気バリア膜の形成 ~ 低温触媒CVD装置の開発 ~
○部家 彰(兵庫県立大)・南川俊治(石川工試)・仁木敏一・南 茂平(石川製作所)・増田 淳・梅本宏信(北陸先端大)・松尾直人(兵庫県立大)・松村英樹(北陸先端大)
pp. 7 - 12
ED2005-175
Hole注入法によるNBTI評価手法及び寿命予測方法の開発
○寺本章伸・渡辺一史・黒田理人(東北大)・三富士道彦・山葉隆久(ローム)・須川成利・大見忠弘(東北大)
pp. 13 - 18
ED2005-176
SOIウェーハの非接触電気特性評価
○宇野良平・吉田晴彦・佐藤真一(兵庫県立大)
pp. 19 - 24
ED2005-177
Scan チェーンを活用した故障部位特定手法とその解析事例
○片岡 武・渡部尚数・河南 靖・田中雅二(松下電器)
pp. 25 - 30
ED2005-178
動作電流密度2mA/um2以上で高信頼性を有するレッジ付きInP HBT
○深井佳乃・栗島賢二・井田 実・山幡章司・榎木孝知(NTT)
pp. 31 - 35
ED2005-179
GaAs高周波デバイスの湿度に起因した劣化
○野上洋一・日坂隆行・吉田直人(三菱電機)
pp. 37 - 41
ED2005-180
水素プラズマ照射されたn型窒化ガリウムの電気特性評価
○須田将之(都立大)・中村成志・須原理彦・奥村次徳(都立大/首都大東京)
pp. 43 - 46
ED2005-181
ナノメートルショットキーゲートAlGaN/GaN HFETにおけるの異常ゲートリーク電流とゲート制御性に関する検討
○葛西誠也・小谷淳二・長谷川英機・橋詰 保(北大)
pp. 47 - 52
今後、次の点を修正する予定です。(1)欠けている表紙画像・奥付画像を補完いたします。(2)欠けている発行日の情報を補完いたします。