電子情報通信学会技術研究報告

Print edition: ISSN 0913-5685      Online edition: ISSN 2432-6380

Volume 110, Number 99

機構デバイス

開催日 2010-06-25 / 発行日 2010-06-18

[PREV] [NEXT]

[TOP] | [2007] | [2008] | [2009] | [2010] | [2011] | [2012] | [2013] | [Japanese] / [English]

[PROGRAM] [BULK PDF DOWNLOAD]


目次

EMD2010-9
π共役系保護基を有するAuナノ粒子を用いた二重トンネル接合の抵抗値
○皆川慶嘉・加納伸也・東 康男(東工大/JST)・金原正幸・寺西利治(筑波大/JST)・真島 豊(東工大/JST)
pp. 1 - 5

EMD2010-10
ポルフィリン自己組織化単分子膜によるペンタセンTFTの接触抵抗の低減
○東 康男・鈴木太陽(東工大/JST)・山田泰之・田中健太郎(名大/JST)・金原正幸・寺西利治(筑波大/JST)・真島 豊(東工大/JST)
pp. 7 - 12

EMD2010-11
キラルなポリジアセチレン薄膜の作製とその重合過程の検討
○金 英輝・篠 竜徳・大嶋優記・間中孝彰・岩本光正(東工大)
pp. 13 - 17

EMD2010-12
走査トンネル顕微鏡を用いたポルフィリン分子の電気的特性の観察
○加納伸也・皆川慶嘉・東 康男(東工大/JST)・山田泰之・田中健太郎(名大/JST)・真島 豊(東工大/JST)
pp. 19 - 23

EMD2010-13
ガスフロースパッタ法により低温で成長したAlドープZnO薄膜の電気的・光学的性質の酸素量依存性
○須藤隆吉・近藤祐邦・佐久間洋志・石井 清(宇都宮大)・荒巻慶輔・Kyungsung Yun・近藤洋文(ソニーケミカル&インフォメーションデバイス)
pp. 25 - 29

EMD2010-14
ハンマリング加振機構による電気接点の劣化現象 ~ 接触抵抗について(12) ~
和田真一・○越田圭治・園田健人・サインダー ノロブリン・小田部正能・久保田洋彰(TMCシステム)・澤 孝一郎(慶大名誉教授/日本工大)
pp. 31 - 36

EMD2010-15
ハンマリング加振機構による電気接点の劣化現象 ~ 摺動機構のモデリング(1) ~
○和田真一・越田圭治・園田健人・サインダー ノロブリン・小田部正能・久保田洋彰(TMCシステム)・澤 孝一郎(慶大名誉教授/日本工大)
pp. 37 - 42

EMD2010-16
銅箔の直接電磁圧接
○相沢友勝(都立産技高専)・杉山善崇(矢崎総業)・岡川啓悟(都立産技高専)
pp. 43 - 46

注: 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり,推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります.


IEICE / 電子情報通信学会