電子情報通信学会技術研究報告

Print edition: ISSN 0913-5685      Online edition: ISSN 2432-6380

Volume 113, Number 40

電子部品・材料

開催日 2013-05-16 - 2013-05-17 / 発行日 2013-05-09

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目次

CPM2013-1
様々な加工処理を施した4H-SiC表面のキャリアライフタイム評価
○森 祐人・加藤正史・市村正也(名工大)
pp. 1 - 6

CPM2013-2
4H-SiC中の深い準位を形成する欠陥構造の同定の試み
○中根浩貴・加藤正史・市村正也(名工大)・大島 武(原子力機構)
pp. 7 - 12

CPM2013-3
カーボンマスクを用いたGaN両極性同時成長プロセス
○藤田陽平・高野 泰・井上 翼・中野貴之(静岡大)
pp. 13 - 17

CPM2013-4
中性子半導体検出器の実現に向けたBGaN薄膜の作製と評価
○渥美勝浩・三宅亜紀・三村秀典・井上 翼・青木 徹・中野貴之(静岡大)
pp. 19 - 22

CPM2013-5
表面窒化によるGaAsN混晶の形成
○浦上法之・若原昭浩・関口寛人・岡田 浩(豊橋技科大)
pp. 23 - 26

CPM2013-6
The dissolution process of Si into Ge melt and SiGe growth mechanism by X-ray penetration method
○Muthusamy Omprakash・Mukannan Arivanandhan・Raman Aun Kumar・Hiroshi Morii・Toru Aoki・Tadanobu Koyama・Yoshimi Momose・Hiroshi Ikeda・Hirokazu Tatsuoka(Shizuoka Univ.)・Yasunori Okano(Osaka Univ.)・Tetsuo Ozawa(Shizuoka Inst. of Science and Tech.)・Yuko Inatomi(JAXA)・Sridharan Moorth Babu(Anna Univ.)・Yasuhiro Hayakawa(Shizuoka Univ.)
pp. 27 - 31

CPM2013-7
収束イオンビームを用いたPドープSOI基板に対するGaイオン注入とそのゼーベック係数
○鈴木悠平・三輪一聡(静岡大)・ファイズ サレ(静岡大/学振)・下村 勝・石田明広・池田浩也(静岡大)
pp. 33 - 37

CPM2013-8
Investigation of monodispersed ZnO nanostructures for dye sensitized solar cells application
○Mani Navaneethan・Jayaram Archana・Tadanobu Koyama・Yasuhiro Hayakawa(Shizuoka Univ.)
pp. 39 - 43

CPM2013-9
Investigations of mesoporous TiO2 spheres as active and scattering layers in dye-sensitized solar cells
○Jayaram Archana・Mani Navaneethan・Tadanobu Koyama・Yasuhiro Hayakawa(Shizuoka Univ.)
pp. 45 - 49

CPM2013-10
Low cost synthesized carbon materials as a photo cathode for dye sensitized solar cells
○Rajan Karthikeyan・Mani Navaneethan・Jayaram Archana・Mukannan Arivanandhan・Yasuhiro Hayakawa(Shizuoka Univ.)
pp. 51 - 54

CPM2013-11
Surface Modified FTO Thin Films for Front Electrodes in Dye Sensitized Solar Cells
○Devinda Liyanage・Kenji Murakami(Shizuoka Univ.)
pp. 55 - 60

CPM2013-12
電気化学的手法によるInP多孔質構造の光吸収特性と光電変換
熊崎祐介・神保亮平・谷田部然治・○佐藤威友(北大)
pp. 61 - 64

CPM2013-13
Electron-tunneling operation of single-dopant-atom transistors at elevated temperature -- Toward room temperature operation --
○Daniel Moraru・Earfan Hamid・Arup Samanta(Shizuoka Univ.)・Le The Anh(JAIST)・Takeshi Mizuno(Shizuoka Univ.)・Hiroshi Mizuta(JAIST/Southampton Univ.)・Michiharu Tabe(Shizuoka Univ.)
pp. 65 - 70

CPM2013-14
電子的確率共鳴の非侵襲生体信号計測への応用に関する検討
○今井裕理・葛西誠也(北大)
pp. 71 - 75

CPM2013-15
[招待講演]シリサイド半導体の結晶成長とデバイス応用
○鵜殿治彦(茨城大)
pp. 77 - 81

CPM2013-16
CMOSイメージセンサ技術を用いたファブリペロー干渉計による非標識バイオセンサ
○小澤 遼・高橋一浩・大山泰生・二川雅登・太斎文博・石田 誠・澤田和明(豊橋技科大)
pp. 83 - 86

CPM2013-17
CuとFeを担持したTiO2スパッタ薄膜の光触媒特性の評価
○山田良隆・渥美 剛・白木 遼・以西雅章(静岡大)・安田洋司・星 陽一(東京工芸大)
pp. 87 - 92

CPM2013-18
高効率水素生成に向けたSiCキャリアライフタイム評価
○三宅景子・安田智成・加藤正史・市村正也(名工大)・畑山智亮(奈良先端大)・大島 武(原子力機構)
pp. 93 - 98

CPM2013-19
LiMn2O4薄膜の電池特性の改善
○野口貴史・丹羽彬夫・木村将士・柴田智志・以西雅章・冨田靖正(静岡大)
pp. 99 - 104

CPM2013-20
Improvement of photovoltaic characteristics of B-doped Czochralski-Silicon by Ge codoping
○Mukannan Arivanandhan(Shizuoka Univ.)・Raira Gotoh・Kozo Fujiwara(Tohoku Univ.)・Yasuhiro Hayakawa(Shizuoka Univ.)・Satoshi Uda(Tohoku Univ.)・Makoto Konagai(Tokyo Inst. of Tech.)
pp. 105 - 109

CPM2013-21
Hydrothermal Synthesis of ZnO Nanowire Network using Zinc Acetate Dyhydrate for the DSSC Application
○Rangga Winantyo・Kenji Murakami(Shizuoka Univ.)
pp. 111 - 114

注: 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり,推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります.


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