Online edition: ISSN 2432-6380
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SDM2026-33
［招待講演］半導体電子デバイスとゆらぎを再接続する数理モデルと解析
○葛西誠也（北大）
pp. 1 - 4
SDM2026-34
枚葉式熱処理装置を用いたポリイミドキュアプロセスの面内分布解析
○伊藤榛紀・関 琢磨・橋本圭市・間脇武蔵・黒田理人（東北大）
pp. 5 - 8
SDM2026-35
Influence of Si Substrate Orientation on Ultra-thin Silicide Formation for Schottky-Barrier MFSFET
○Hongqian Deng・Haoran Yan・Haolin Wang・Yusuke Tsuchiya・Kangbai Li・Shun-ichiro Ohmi（Science Tokyo）
pp. 9 - 12
SDM2026-36
［招待講演］Lattice-in-Dot の創成：Feシリサイドナノレイヤーを内包したSi量子ドットの高密度形成と室温発光特性
○牧原克典（名大）
pp. 13 - 18
SDM2026-37
異種面方位Si基板上への熱酸化膜の形成と界面特性の評価
○山本航輝・大見俊一郎（科学大）・早川 兼・須藤治生・泉妻宏治（GWJ）
pp. 19 - 22
SDM2026-38
画素毎電気的接合を有する3次元積層型2段LOFIC CMOSイメージセンサ試作
○間脇武蔵・吉田将也・瀧澤康平・黒田理人（東北大）
pp. 23 - 26
SDM2026-39
三次元積層アレイテスト回路を用いた統計的容量測定と次世代メモリ材料測定への展開
○西牧良弥・新城海斗・間脇武蔵・黒田理人（東北大）
pp. 27 - 30
SDM2026-40
［招待講演］吸着選択性を利用した選択成膜プロセスの検証
○東雲秀司・藤田成樹・大越春香・池 進一・林 元輝（東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ）・中川智裕（東京エレクトロン）・後藤哲也（東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ）
pp. 31 - 35
SDM2026-41
低濃度窒素ドーピングによるノーマリーオフIGZO TFTの駆動能力向上
○金澤 徹・渡邊将久（TTS）・小島 恵（TEL）・清水 亮・後藤哲也（TTS）
pp. 36 - 41
SDM2026-42
［招待講演］強誘電体・圧電材料からLiDARセンシング、自律移動ロボットへ
○今泉文伸（小山高専）
pp. 42 - 45
SDM2026-43
［記念講演］多結晶Ge薄膜の物性制御と多機能デバイス応用 ～ トランジスタ・熱電変換・リチウムイオン電池への展開 ～
○野沢公暉・末益 崇・都甲 薫（筑波大）
p. 46
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．