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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2005-04-15 14:00 電荷収集と寄生バイポーラ効果を考慮したSRAMの中性子ソフトエラー解析 ○長田健一（日立）・北井直樹（日立超LSIシステムズ）・蒲原史朗（ルネサステクノロジ）・河原尊之（日立） エレソ技報アーカイブへのリンク：  ICD2005-18 |
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| 抄録 | （和） | α線や中性子線によって生じるSRAMセルのソフトエラーについて解析した．SRAMのクロスカップルインバータの帰還作用をデバイス回路融合シミュレータを用いて正確にモデル化し，寄生バイポーラモードによるフェイルメカニズムを解析した．また，従来の電荷収集モードによるメモリセルのフェイルについても解析し，両モードでメモリセルがフェイルするために必要な臨海電荷量(Qcg)を計算した．Qcgはそれぞれのモードで，記憶ノードに蓄えられる電荷量(Qnode)に対して反対の依存性を持つことを見出した．ここで得られたQcgを使ってソフトエラー率を計算し，実験結果と比較した結果、誤差は30％以下であった． |
| （英） | This paper describes an investigation of the upsetting of values in cells hit by alpha particles or neutrons, in which the feedback operation of the cross-coupled inverter in SRAM is accurately modeled through simultaneous device and circuit simulation. We demonstrate, for the first time, the existence and mechanism of a new parasitic-bipolar-failure (PBF) mode. Accurate values of critical charge (Qcg) for failure are calculated for both this mode and the conventional charge-collection-failure (CCF) mode. We identify opposite behaviors of Qcg for the CCF and PBF modes with respect to the amount of charge at the storage node (Qnode). The results on critical charge are also used to predict the soft-error rate and the prediction agrees with the results of measurement to within 30%. Based on the results, we propose design techniques for reduced SER | |
| キーワード | （和） | ソフトエラー / 中性子 / デバイス回路融合シミュレータ / / / / / |
| （英） | Soft error / Neutron / Circuit-device simulation / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 105, no. 2, ICD2005-18, pp. 31-36, 2005年4月. | |
| 資料番号 | ICD2005-18 | |
| 発行日 | 2005-04-08 (ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2005-18 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
| 開催期間 | 2005-04-14 - 2005-04-15 |
| 開催地（和） | 福岡システムLSI 総合開発センター |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 新メモリ技術、メモリ応用技術、一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2005-04-ICD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 電荷収集と寄生バイポーラ効果を考慮したSRAMの中性子ソフトエラー解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Analysys of SRAM neutron-Induced Errors Based on the Consideration of Both Charge-Collection and Parasitic-BipolarFailure Modes |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ソフトエラー / Soft error |
| キーワード(2)（和/英） | 中性子 / Neutron |
| キーワード(3)（和/英） | デバイス回路融合シミュレータ / Circuit-device simulation |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 長田 健一 / Kenichi Osada / オサダ ケンイチ |
| 第1著者 所属（和/英） | 日立製作所 (略称： 日立) Hitachi, Ltd. (略称： Hitachi) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 北井 直樹 / Naoki Kitai / |
| 第2著者 所属（和/英） | 日立超LSIシステムズ (略称： 日立超LSIシステムズ) Hitachi ULSI Systems Co. (略称： Hitachi ULSI) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 蒲原 史朗 / Shiro Kamohara / |
| 第3著者 所属（和/英） | ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology Corp. (略称： Renesas) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 河原 尊之 / Takayuki Kawahara / |
| 第4著者 所属（和/英） | 日立製作所 (略称： 日立) Hitachi, Ltd. (略称： Hitachi) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2005-04-15 14:00:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | ICD2005-18 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | no.2 |
| ページ範囲 | pp.31-36 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2005-04-08 (ICD) |
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