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集積回路研究会(ICD)
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専門委員長
亀山 充隆
副委員長
中屋 雅夫
幹事
内山 邦男, 宮野 信治
幹事補佐
張山 昌論, 甲斐 康司
日時
2005年 4月14日(木) 09:00 - 21:00
2005年 4月15日(金) 10:30 - 15:00
議題
新メモリ技術、メモリ応用技術、一般
会場名
福岡システムLSI総合開発センター
住所
福岡県早良区百道浜3-8-33
交通案内
福岡空港からバス45分
http://www.ist.or.jp/lsi/pg03_01.html
会場世話人
連絡先
九州大学大学院 システムLSI情報科学科研究院 井上弘士
4月14日(木) 午前 ISSCC特集1 SRAM
09:00 - 10:30
(1)
09:00-09:30
低電圧時の安定高速動作を実現するノイズマージンフリーSRAM技術
○
武田晃一
・
萩原靖彦
(
NEC
)・
相本代志治
(
NECエレクトロニクス
)・
野村昌弘
・
中澤陽悦
(
NEC
)・
石井利生
・
小畑弘之
(
NECエレクトロニクス
)
(2)
09:30-10:00
書き込みマージンを増加させた低電力SoC向け混載SRAM
○
山岡雅直
(
日立
)・
前田徳章
(
ルネサステクノロジ
)・
篠崎義弘
(
日立超LSIシステムズ
)・
島崎靖久
・
新居浩二
・
島田 茂
・
柳沢一正
(
ルネサステクノロジ
)・
河原尊之
(
日立
)
(3)
10:00-10:30
A 256Mb Synchronous Burst DDR SRAM using Single-crystal Silicon Thin Film Transisitor (SSTFT) SRAM cell
○
Youngho Suh
・
Hyouyoun Nam
・
Youngdae Lee
・
Hungiun An
・
Sangbeom Kang
・
Byunggil Choi
・
Hoon Lim
・
Choongkeun Kwak
・
Hyunguen Byun
(
Samsung
)
10:30-10:40
休憩 ( 10分 )
4月14日(木) 午前 ISSCC特集2 DRAM
10:40 - 12:10
(4)
10:40-11:40
[招待講演]
ナノスケール時代のDRAM ~ 非1T1Cアプローチ ~
○
石井智之
(
日立
)
(5)
11:40-12:10
SOI上の1Tゲインセル(FBC)を用いた128MビットDRAM
○
大澤 隆
・
藤田勝之
・
初田幸輔
(
東芝
)・
東 知輝
(
東芝マイクロエレクトロニクス
)・
森門六月生
・
南 良博
・
篠 智彰
・
中島博臣
・
井納和美
・
浜本毅司
・
渡辺重佳
(
東芝
)
12:10-13:00
昼食 ( 50分 )
4月14日(木) 午後 ISSCC特集2(続き) DRAM
13:00 - 15:00
(6)
13:00-14:00
[招待講演]
デジタル家電向け混載メモリの現状と将来展望 ~ SoCの構造改革に向けたチャレンジ ~
○
山内寛行
(
松下電器
)
(7)
14:00-14:30
A 196-mm2, 2-Gb DDR2 SDRAM using an 80-nm Triple Metal Technology
○
Jeong Hoon kook
・
Kyehyun Kyung
・
Chiwook Kim
・
Jaeyoung Lee
(
Samsung
)
(8)
14:30-15:00
[招待講演]
ギガビット時代のDRAM設計における統計的手法導入の提案
○
関口知紀
・
秋山 悟
(
日立
)・
梶谷一彦
(
エルピーダメモリ
)・
半澤 悟
・
竹村理一郎
・
河原尊之
(
日立
)
15:00-15:15
休憩 ( 15分 )
4月14日(木) 午後 ISSCC特集3 不揮発性メモリ
15:15 - 16:45
(9)
15:15-15:45
Improved write methods for 64Mb Phase-change Random Access Memory (PRAM)
○
Hyung-rok Oh
・
Beak-hyung Cho
・
Woo Yeong Cho
・
Sangbeom Kang
・
Byung-gil Choi
・
Hye-jin Kim
・
Ki-sung Kim
・
Du-eung Kim
・
Choong-keun Kwak
・
Hyun-geun Byun
・
Gi-tae Jeong
・
Hong-sik Jeong
・
Kinam Kim
(
Samsung
)
(10)
15:45-16:15
70nm 8ギガビットNANDフラッシュメモリの設計
○
阿部 巧
・
原 毅彦
・
福田浩一
・
金澤一久
・
柴田 昇
・
細野浩司
・
前嶋 洋
・
中川道雄
・
小島正嗣
・
藤生政樹
・
竹内義昭
・
雨宮和美
・
師岡 翠
(
東芝
)・
亀井輝彦
・
那須弘明
(
サンディスク
)
(11)
16:15-16:45
多値高速書込み性能10MB/sを実現する4ギガビットAG-ANDフラッシュメモリ
○
倉田英明
・
笹子佳孝
・
大津賀一雄
・
有金 剛
・
河村哲史
・
小林 孝
・
久米 均
(
日立
)・
本間和樹
・
小堺健司
・
野田敏史
・
伊藤輝彦
・
清水雅裕
・
池田良広
・
土屋 修
・
古沢和則
(
ルネサステクノロジ
)
16:45-19:00
休憩 懇親会 ( 135分 )
4月14日(木) 午後 イブニングパネル
19:00 - 21:00
(12)
19:00-21:00
[パネル討論] デジタルコンシューマ時代に向けたメモリ技術
○
佐藤克之
(
エルピーダメモリ
)・
山内寛行
(
松下電器
)・
沼田健二
(
東芝
)・
赤沢 隆
(
ルネサステクノロジ
)・
片山泰尚
(
日本IBM
)
4月15日(金) 午前
10:30 - 12:00
(13)
10:30-11:00
低電圧・高速動作を実現した1.2V単一動作の130nm混載向け1Mbit MRAMコア
○
辻 高晴
(
ルネサステクノロジ
)・
谷崎弘晃
(
ルネサスデバイスデザイン
)・
石川正敏
・
大谷 順
・
山口雄一郎
・
上野修一
・
大石 司
・
日高秀人
(
ルネサステクノロジ
)
(14)
11:00-11:30
高密度低消費電力FeRAMメモリセルアーキテクチャー
○
三木 隆
・
平野博茂
・
坂上雅彦
・
中熊哲治
・
山岡邦吏
・
岩成俊一
・
村久木康夫
・
五寳 靖
・
藤井英治
(
松下電器
)
(15)
11:30-12:00
高速大容量混載 DRAM Pre-Fuse Wafer-Level テストのための Burst-Cycle Data圧縮方式
○
福田 良
・
小林謙二
(
東芝
)・
赤松正志
・
開発 実
・
田村 淳
・
谷口一雄
(
ソニー
)・
渡辺陽二
(
東芝
)
12:00-13:00
昼食 ( 60分 )
4月15日(金) 午後
13:00 - 15:00
(16)
13:00-13:30
1.5nsアクセス時間0.25μm CMOS/SIMOX SRAMマクロセル ~ デュアルワード線による高速化と低電力化 ~
○
柴田信太郎
・
石原隆子
(
NTT
)・
栗田茂弘
・
沖山秀臣
(
NEL
)
(17)
13:30-14:00
バンク型多ポートメモリによる並列プロセッサ用キャッシュメモリの設計
○
上口 光
・
朱 兆旻
(
広島大
)・
平川 泰
(
広島市大
)・
マタウシュ ハンス ユルゲン
・
小出哲士
(
広島大
)・
弘中哲夫
・
谷川一哉
(
広島市大
)
(18)
14:00-14:30
電荷収集と寄生バイポーラ効果を考慮したSRAMの中性子ソフトエラー解析
○
長田健一
(
日立
)・
北井直樹
(
日立超LSIシステムズ
)・
蒲原史朗
(
ルネサステクノロジ
)・
河原尊之
(
日立
)
(19)
14:30-15:00
中性子ソフトエラーシミュレーションの新展開
○
上村大樹
・
戸坂義春
・
芦澤芳夫
・
岡 秀樹
・
佐藤成生
(
富士通研
)
問合先と今後の予定
ICD
集積回路研究会(ICD)
[今後の予定はこちら]
問合先
宮野信治(東芝)
TEL 044-548-2696 , FAX 044-548-8324
E-
:
n
ba
Last modified: 2005-03-30 20:08:03
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