講演抄録/キーワード |
講演名 |
2005-09-08 09:50
DRAM電源系マクロモデルを使ったパッケージ設計手法の開発 ○中村 聡・須賀 卓(日立)・片桐光昭・西尾洋二・船場誠司・廣瀬行敏・伊佐 聡(エルピーダメモリ) |
抄録 |
(和) |
近年、半導体業界では複数の半導体チップを1つのパッケージに実装したMCP(Multi Chip Package)やSiP(System in Package)が主流となっている。このMCP/SiPでは、搭載される半導体チップの高速化に伴う電源/GND電圧変動の増加による動作信頼性の低下が課題となっている。本報告では、MCP/SiPなどの半導体パッケージにおける電源/GND配線の最適設計指針の提示を目的として、電源/GNDから見たDRAM出力回路の線形マクロモデルをSPICEモデルから作成した。また、このマクロモデルを使ってDRAM電源パッドでの電圧変動を任意の制約値以下に抑制する半導体パッケージ電源配線設計指針の導出手法について報告する。 |
(英) |
In late years, MCP(Multi Chip Package) and SiP(System in Package) which has plural semiconductor chips in one package become the mainstream in the semiconductor industry. However, by increasing of a voltage fluctuation of power supply/GND with high-speed semiconductor chips packaged in MCP/SiP, decrease of working reliability will be a big problem. By this report, for the purpose of presentation the optimum design manual to power supply/GND trace in a semiconductor package such as MCP/SiP, we make a linear macro-model of the DRAM output circuit between power supply and GND from a SPICE model. And, for a suppression of the voltage fluctuation less than arbitrary limitation at power supply pad of a DRAM, we report the derivation technique of design manual to power supply trace in a semiconductor package by using this macro-model. |
キーワード |
(和) |
MCP/SiP / 電源/GND / 電圧変動 / DRAM / 半導体パッケージ / 設計指針 / / |
(英) |
MCP / SiP / power supply /GND / a voltage fluctuation / DRAM / a semiconductor package / design manual / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 105, no. 265, CPM2005-87, pp. 13-18, 2005年9月. |
資料番号 |
CPM2005-87 |
発行日 |
2005-09-01 (CPM, ICD) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 |
PDFダウンロード |
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研究会情報 |
研究会 |
ICD CPM |
開催期間 |
2005-09-08 - 2005-09-09 |
開催地(和) |
機械振興会館 |
開催地(英) |
Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
テーマ(和) |
LSIシステムの実装・モジュール化・インタフェース技術、テスト技術 (オーガナイザ: 大塚寛治(明星大学)) |
テーマ(英) |
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講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
CPM |
会議コード |
2005-09-ICD-CPM |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
DRAM電源系マクロモデルを使ったパッケージ設計手法の開発 |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
Development of Design Techniques for Semiconductor-Package By using Simplified DRAM Macro Model of Power System |
サブタイトル(英) |
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キーワード(1)(和/英) |
MCP/SiP / MCP / SiP |
キーワード(2)(和/英) |
電源/GND / power supply /GND |
キーワード(3)(和/英) |
電圧変動 / a voltage fluctuation |
キーワード(4)(和/英) |
DRAM / DRAM |
キーワード(5)(和/英) |
半導体パッケージ / a semiconductor package |
キーワード(6)(和/英) |
設計指針 / design manual |
キーワード(7)(和/英) |
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キーワード(8)(和/英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
中村 聡 / Satoshi Nakamura / ナカムラ サトシ |
第1著者 所属(和/英) |
(株)日立製作所 生産技術研究所 (略称: 日立)
Hitachi,Ltd.,Production Engineering Research Laboratory (略称: Hitachi PERL) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
須賀 卓 / Takashi Suga / スガ タカシ |
第2著者 所属(和/英) |
(株)日立製作所 生産技術研究所 (略称: 日立)
Hitachi,Ltd.,Production Engineering Research Laboratory (略称: Hitachi PERL) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
片桐 光昭 / Mitsuaki Katagiri / カタギリ ミツアキ |
第3著者 所属(和/英) |
エルピーダメモリ(株) (略称: エルピーダメモリ)
Elpida Memory,Inc. (略称: Elpida) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
西尾 洋二 / Yoji Nishio / ニシオ ヨウジ |
第4著者 所属(和/英) |
エルピーダメモリ(株) (略称: エルピーダメモリ)
Elpida Memory,Inc. (略称: Elpida) |
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
船場 誠司 / Seiji Funaba / フナバ セイジ |
第5著者 所属(和/英) |
エルピーダメモリ(株) (略称: エルピーダメモリ)
Elpida Memory,Inc. (略称: Elpida) |
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) |
廣瀬 行敏 / Yukitoshi Hirose / ヒロセ ユキトシ |
第6著者 所属(和/英) |
エルピーダメモリ(株) (略称: エルピーダメモリ)
Elpida Memory,Inc. (略称: Elpida) |
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) |
伊佐 聡 / イサ サトシ / |
第7著者 所属(和/英) |
エルピーダメモリ(株) (略称: エルピーダメモリ)
Elpida Memory,Inc. (略称: Elpida) |
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第9著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第10著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第11著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第12著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第13著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第14著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第15著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第16著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第17著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第31著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第32著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第34著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第36著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2005-09-08 09:50:00 |
発表時間 |
25分 |
申込先研究会 |
CPM |
資料番号 |
CPM2005-87, ICD2005-97 |
巻番号(vol) |
vol.105 |
号番号(no) |
no.265(CPM), no.267(ICD) |
ページ範囲 |
pp.13-18 |
ページ数 |
6 |
発行日 |
2005-09-01 (CPM, ICD) |
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