講演抄録/キーワード |
講演名 |
2005-11-11 16:15
自己平坦化法によるBi-2212スタックの作製 ○鈴木光夫・ファチャムルン ラッタナット・余川奈保美・岡上久美・濱崎勝義(長岡技科大) エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2005-158 |
抄録 |
(和) |
$Bi_{2}Sr_2CaCu_2O_y$(Bi-2212) スタック型固有Josephson接合を作製するために自己平坦化法を開発した.この方法は接合窓以外のBi-2212単結晶を希塩酸により改質させるものである.改質された絶縁層はスタック(Josephson接合のナノアレイ)の自己平坦化層となるため,SiO_2等の平坦化用薄膜を新たに成膜する必要がない.そのため,従来のArイオンミリングを用いたプロセスを大幅に簡略化できる.この方法で作製したBi-2212スタック型素子は,77KにおいてもI-V特性上に明瞭なブランチ構造が観測され,超伝導量子干渉素子(SQUID)への応用が期待できる. |
(英) |
We developed self-planarizing process for the fabrication of stacked Bi_2Sr_2CaCu_2O_y(Bi-2212) intrinsic Josephson junctions. In this process, the Bi-2212 single crystal around the junction window was changed to insulator by soaking it into the solution of dilute hydrochloric acid. The insulating acid-treated layer acts as the planarizing layer of the stacks. The stacks fabricated by this process exhibited clear multiple-branching I-V characteristics even at 77K. This process may be useful for the further study of the Bi-2212 stacks or in the future device applications. |
キーワード |
(和) |
Bi-2212スタック型素子 / 固有Josephson接合 / 自己平坦化法 / / / / / |
(英) |
Bi-2212 stacked device / intrinsic Josephson junction / self-planarizing process / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 105, no. 393, CPM2005-158, pp. 33-38, 2005年11月. |
資料番号 |
CPM2005-158 |
発行日 |
2005-11-04 (CPM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 |
著作権に ついて |
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