| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2006-04-13 11:35
90nm node CMOSプロセスによる128Mb-FBC(Floating Body Cell)メモリの技術開発
○中島博臣・南 良博・篠 智彰（東芝）・坂本篤史（東芝情報システム）・東 知輝（東芝マイクロエレクトロニクス）・楠 直樹・藤田勝之・初田幸輔・大澤 隆・青木伸俊・谷本弘吉・森門六月生・井納和美・浜本毅司・仁田山晃寛（東芝） |
| 抄録 |
（和） |
SOI基板上にFBC(Floating Body Cell)とよぶメモリセルを用いて90nmCMOSコンパチの128Mb SOI DRAMを試作し良好な結果を得た．フルファンクションと良好なリテンション特性を得るためにウェル構造の最適化を行い，配線抵抗増大による信号劣化を抑えるためにソース線とビット線にCu配線を採用した． |
| （英） |
A 128Mb SOI DRAM with FBC (Floating Body Cell) has been successfully developed for the first time. In order to realize full functionality and good retention characteristics, the well design has been optimized. Cu wiring has been used for Bit Line(BL) and Source Line(SL), which leads to increasing the signal of the worst bit in the array and also realizes the full compatibility with 90nm CMOS Technology. |
| キーワード |
（和） |
FBC / SOI / DRAM / Cu / メモリ / 混載 / 90nm / CMOS |
| （英） |
FBC / SOI / DRAM / Cu / Memory / Embeded / 90nm / CMOS |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 106, no. 2, ICD2006-5, pp. 25-30, 2006年4月. |
| 資料番号 |
ICD2006-5 |
| 発行日 |
2006-04-06 (ICD) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 |
| PDFダウンロード |
|
| 研究会情報 |
| 研究会 |
ICD |
| 開催期間 |
2006-04-13 - 2006-04-14 |
| 開催地（和） |
大分大学 |
| 開催地（英） |
Oita University |
| テーマ（和） |
新メモリ技術とシステムLSI <オーガナイザ：山内寛行（福岡工業大学）> |
| テーマ（英） |
|
| 講演論文情報の詳細 |
| 申込み研究会 |
ICD |
| 会議コード |
2006-04-ICD |
| 本文の言語 |
日本語 |
| タイトル（和） |
90nm node CMOSプロセスによる128Mb-FBC(Floating Body Cell)メモリの技術開発 |
| サブタイトル（和） |
|
| タイトル（英） |
Technology development of 128Mb-FBC(Floating Body Cell) Memory by 90nm node CMOS process |
| サブタイトル（英） |
|
| キーワード(1)（和/英） |
FBC / FBC |
| キーワード(2)（和/英） |
SOI / SOI |
| キーワード(3)（和/英） |
DRAM / DRAM |
| キーワード(4)（和/英） |
Cu / Cu |
| キーワード(5)（和/英） |
メモリ / Memory |
| キーワード(6)（和/英） |
混載 / Embeded |
| キーワード(7)（和/英） |
90nm / 90nm |
| キーワード(8)（和/英） |
CMOS / CMOS |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） |
中島 博臣 / Hiroomi Nakajima / ナカジマ ヒロオミ |
| 第1著者 所属（和/英） |
（株）東芝 セミコンダクター社 SoC研究開発センター (略称： 東芝)
SoC Research and Development Center, Toshiba Corp. (略称： SoC Center, Toshiba) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） |
南 良博 / Yoshihiro Minami / ミナミ ヨシヒロ |
| 第2著者 所属（和/英） |
（株）東芝 セミコンダクター社 SoC研究開発センター (略称： 東芝)
SoC Research and Development Center, Toshiba Corp. (略称： SoC Center, Toshiba) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） |
篠 智彰 / Tomoaki Shino / シノ トモアキ |
| 第3著者 所属（和/英） |
（株）東芝 セミコンダクター社 SoC研究開発センター (略称： 東芝)
SoC Research and Development Center, Toshiba Corp. (略称： SoC Center, Toshiba) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） |
坂本 篤史 / Atsushi Sakamoto / サカモト アツシ |
| 第4著者 所属（和/英） |
東芝情報システム（株） (略称： 東芝情報システム)
Toshiba Information Systems(Japan) Corp. (略称： TJ) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） |
東 知輝 / Tomoki Higashi / ヒガシ トモキ |
| 第5著者 所属（和/英） |
東芝マイクロエレクトロニクス（株） (略称： 東芝マイクロエレクトロニクス)
Toshiba Microelectronics Corp. (略称： TOSMEC) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） |
楠 直樹 / Naoki Kusunoki / クスノキ ナオキ |
| 第6著者 所属（和/英） |
（株）東芝 セミコンダクター社 SoC研究開発センター (略称： 東芝)
SoC Research and Development Center, Toshiba Corp. (略称： SoC Center, Toshiba) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） |
藤田 勝之 / Katsuyuki Fujita / フジタ カツユキ |
| 第7著者 所属（和/英） |
（株）東芝 セミコンダクター社 SoC研究開発センター (略称： 東芝)
SoC Research and Development Center, Toshiba Corp. (略称： SoC Center, Toshiba) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） |
初田 幸輔 / Kosuke Hatsuda / ハツダ コウスケ |
| 第8著者 所属（和/英） |
（株）東芝 セミコンダクター社 SoC研究開発センター (略称： 東芝)
SoC Research and Development Center, Toshiba Corp. (略称： SoC Center, Toshiba) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） |
大澤 隆 / Takashi Ohsawa / オオサワ タカシ |
| 第9著者 所属（和/英） |
（株）東芝 セミコンダクター社 SoC研究開発センター (略称： 東芝)
SoC Research and Development Center, Toshiba Corp. (略称： SoC Center, Toshiba) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） |
青木 伸俊 / Nobutoshi Aoki / アオキ ノブトシ |
| 第10著者 所属（和/英） |
（株）東芝 セミコンダクター社 SoC研究開発センター (略称： 東芝)
SoC Research and Development Center, Toshiba Corp. (略称： SoC Center, Toshiba) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） |
谷本 弘吉 / Hiroyoshi Tanimoto / タニモト ヒロヨシ |
| 第11著者 所属（和/英） |
（株）東芝 セミコンダクター社 SoC研究開発センター (略称： 東芝)
SoC Research and Development Center, Toshiba Corp. (略称： SoC Center, Toshiba) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） |
森門 六月生 / Mutsuo Morikado / モリカド ムツオ |
| 第12著者 所属（和/英） |
（株）東芝 セミコンダクター社 SoC研究開発センター (略称： 東芝)
SoC Research and Development Center, Toshiba Corp. (略称： SoC Center, Toshiba) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） |
井納 和美 / Kazumi Inoh / イノウ カズミ |
| 第13著者 所属（和/英） |
（株）東芝 セミコンダクター社 SoC研究開発センター (略称： 東芝)
SoC Research and Development Center, Toshiba Corp. (略称： SoC Center, Toshiba) |
| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） |
浜本 毅司 / Takeshi Hamamoto / ハマモト タケシ |
| 第14著者 所属（和/英） |
（株）東芝 セミコンダクター社 SoC研究開発センター (略称： 東芝)
SoC Research and Development Center, Toshiba Corp. (略称： SoC Center, Toshiba) |
| 第15著者 氏名（和/英/ヨミ） |
仁田山 晃寛 / Akihiro Nitayama / ニタヤマ アキヒロ |
| 第15著者 所属（和/英） |
（株）東芝 セミコンダクター社 SoC研究開発センター (略称： 東芝)
SoC Research and Development Center, Toshiba Corp. (略称： SoC Center, Toshiba) |
| 第16著者 氏名（和/英/ヨミ） |
/ / |
| 第16著者 所属（和/英） |
(略称： )
(略称： ) |
| 第17著者 氏名（和/英/ヨミ） |
/ / |
| 第17著者 所属（和/英） |
(略称： )
(略称： ) |
| 第18著者 氏名（和/英/ヨミ） |
/ / |
| 第18著者 所属（和/英） |
(略称： )
(略称： ) |
| 第19著者 氏名（和/英/ヨミ） |
/ / |
| 第19著者 所属（和/英） |
(略称： )
(略称： ) |
| 第20著者 氏名（和/英/ヨミ） |
/ / |
| 第20著者 所属（和/英） |
(略称： )
(略称： ) |
| 第21著者 氏名（和/英/ヨミ） |
/ / |
| 第21著者 所属（和/英） |
(略称： )
(略称： ) |
| 第22著者 氏名（和/英/ヨミ） |
/ / |
| 第22著者 所属（和/英） |
(略称： )
(略称： ) |
| 第23著者 氏名（和/英/ヨミ） |
/ / |
| 第23著者 所属（和/英） |
(略称： )
(略称： ) |
| 第24著者 氏名（和/英/ヨミ） |
/ / |
| 第24著者 所属（和/英） |
(略称： )
(略称： ) |
| 第25著者 氏名（和/英/ヨミ） |
/ / |
| 第25著者 所属（和/英） |
(略称： )
(略称： ) |
| 第26著者 氏名（和/英/ヨミ） |
/ / |
| 第26著者 所属（和/英） |
(略称： )
(略称： ) |
| 第27著者 氏名（和/英/ヨミ） |
/ / |
| 第27著者 所属（和/英） |
(略称： )
(略称： ) |
| 第28著者 氏名（和/英/ヨミ） |
/ / |
| 第28著者 所属（和/英） |
(略称： )
(略称： ) |
| 第29著者 氏名（和/英/ヨミ） |
/ / |
| 第29著者 所属（和/英） |
(略称： )
(略称： ) |
| 第30著者 氏名（和/英/ヨミ） |
/ / |
| 第30著者 所属（和/英） |
(略称： )
(略称： ) |
| 第31著者 氏名（和/英/ヨミ） |
/ / |
| 第31著者 所属（和/英） |
(略称： )
(略称： ) |
| 第32著者 氏名（和/英/ヨミ） |
/ / |
| 第32著者 所属（和/英） |
(略称： )
(略称： ) |
| 第33著者 氏名（和/英/ヨミ） |
/ / |
| 第33著者 所属（和/英） |
(略称： )
(略称： ) |
| 第34著者 氏名（和/英/ヨミ） |
/ / |
| 第34著者 所属（和/英） |
(略称： )
(略称： ) |
| 第35著者 氏名（和/英/ヨミ） |
/ / |
| 第35著者 所属（和/英） |
(略称： )
(略称： ) |
| 第36著者 氏名（和/英/ヨミ） |
/ / |
| 第36著者 所属（和/英） |
(略称： )
(略称： ) |
| 講演者 |
第1著者 |
| 発表日時 |
2006-04-13 11:35:00 |
| 発表時間 |
25分 |
| 申込先研究会 |
ICD |
| 資料番号 |
ICD2006-5 |
| 巻番号（vol） |
vol.106 |
| 号番号（no） |
no.2 |
| ページ範囲 |
pp.25-30 |
| ページ数 |
6 |
| 発行日 |
2006-04-06 (ICD) |