| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2006-06-21 14:30
La2O3-Al2O3複合膜における定電圧ストレス印加時の局所的な電荷捕獲とその放出過程
○佐合寿文・世古明義・坂下満男・酒井 朗・小川正毅・財満鎭明（名大） |
| 抄録 |
（和） |
高誘電率ゲート絶縁膜として期待されているLa2O3-Al2O3複合膜に着目し、定電圧ストレス印加中の局所リーク電流を電流検出型原子間力顕微鏡法(conductive atomic force microscopy: C-AFM)を用いて観察することで、膜中への電荷捕獲、放出過程とその空間分布を調べた。更に、MOSキャパシタとC-AFM観察から得られた電流リーク特性を比較し、局所的な電荷の捕獲、放出現象とデバイスでのリーク特性の相関を明らかにした。Fowler-Nordheimトンネル電流が支配的となる高電圧下でのC-AFM観察において、同一箇所の繰り返し電流像観察から、リーク電流スポットの密度増加と面積増加が見られた。これは、捕獲ホールによる膜中電界の変調に起因したリーク電流増加と、更なるホール捕獲の繰り返しによる局所的な正帰還現象に起因していると考えられる。一方、リークス電流ポット以外の領域においては、電子捕獲に起因すると考えられるリーク電流の減少が観察された。また、捕獲されたホールは電子に比べ、放出され易いことが明らかになった。 |
| （英） |
We observed changes in local leakage currents in La2O3-Al2O3 composite films under constant voltage stress using conductive atomic force microscopy(C-AFM) to clarify a local charge trapping and detrapping process. Moreover, by comparing the current leakage properties obtained from between MOS capacitor measurements and C-AFM observations, the correlation between the local trapped charges and the device properties are revealed. Increase in density of leakage spots and its area are found in the current images obtained from the repeated C-AFM observations at the same area under high substrate voltage where the Fowler-Nordheim tunneling current becomes dominant. This is probably attributed to the local positive feedback process which is the repetition of the increase in current caused by the enhanced electric field due to the trapped holes and further the hole trapping. On the other hand, decrease in the current due to trapped electrons is observed at the area other than the leakage spot sites. Additionally, it is revealed that the trapped hole is more easily detrapped than the electron. |
| キーワード |
（和） |
La2O3-Al2O3複合膜 / 高誘電率ゲート絶縁膜 / 電流検出型原子間力顕微鏡法 / 電荷捕獲サイト / / / / |
| （英） |
La2O3-Al2O3 composite film / high-k gate dielectric film / conductive atomic force microscopy / charge trapping site / / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 106, no. 108, SDM2006-45, pp. 19-24, 2006年6月. |
| 資料番号 |
SDM2006-45 |
| 発行日 |
2006-06-14 (SDM) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 |
| PDFダウンロード |
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| 研究会情報 |
| 研究会 |
SDM |
| 開催期間 |
2006-06-21 - 2006-06-22 |
| 開催地（和） |
広島大学, 学士会館 |
| 開催地（英） |
Faculty Club, Hiroshima Univ. |
| テーマ（和） |
ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術 |
| テーマ（英） |
Science and Technologies of Dielectric Thin Films for Future Electron Devices |
| 講演論文情報の詳細 |
| 申込み研究会 |
SDM |
| 会議コード |
2006-06-SDM |
| 本文の言語 |
日本語 |
| タイトル（和） |
La2O3-Al2O3複合膜における定電圧ストレス印加時の局所的な電荷捕獲とその放出過程 |
| サブタイトル（和） |
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| タイトル（英） |
Local carrier trapping and their detrapping process at constant voltage stress in La2O3-Al2O3 composite films |
| サブタイトル（英） |
|
| キーワード(1)（和/英） |
La2O3-Al2O3複合膜 / La2O3-Al2O3 composite film |
| キーワード(2)（和/英） |
高誘電率ゲート絶縁膜 / high-k gate dielectric film |
| キーワード(3)（和/英） |
電流検出型原子間力顕微鏡法 / conductive atomic force microscopy |
| キーワード(4)（和/英） |
電荷捕獲サイト / charge trapping site |
| キーワード(5)（和/英） |
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| キーワード(6)（和/英） |
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| キーワード(7)（和/英） |
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| キーワード(8)（和/英） |
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| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） |
佐合 寿文 / Toshifumi Sago / サゴウ トシフミ |
| 第1著者 所属（和/英） |
名古屋大学 (略称： 名大)
Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） |
世古 明義 / Akiyoshi Seko / セコ アキヨシ |
| 第2著者 所属（和/英） |
名古屋大学 (略称： 名大)
Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） |
坂下 満男 / Mitsuo Sakashita / サカシタ ミツオ |
| 第3著者 所属（和/英） |
名古屋大学 (略称： 名大)
Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） |
酒井 朗 / Akira Sakai / サカイ アキラ |
| 第4著者 所属（和/英） |
名古屋大学 (略称： 名大)
Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） |
小川 正毅 / Masaki Ogawa / オガワ マサキ |
| 第5著者 所属（和/英） |
名古屋大学 (略称： 名大)
Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） |
財満 鎭明 / Shigeaki Zaima / ザイマ シゲアキ |
| 第6著者 所属（和/英） |
名古屋大学 (略称： 名大)
Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 講演者 |
第1著者 |
| 発表日時 |
2006-06-21 14:30:00 |
| 発表時間 |
25分 |
| 申込先研究会 |
SDM |
| 資料番号 |
SDM2006-45 |
| 巻番号（vol） |
vol.106 |
| 号番号（no） |
no.108 |
| ページ範囲 |
pp.19-24 |
| ページ数 |
6 |
| 発行日 |
2006-06-14 (SDM) |