| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2006-06-21 13:00
MOCVD法による堆積膜/SiCの作製と評価
○日野史郎・畑山智裕・徳光永輔（東工大）・三浦成久・大森達夫（三菱電機） |
| 抄録 |
（和） |
SiC-パワーMOSFETの実用化には絶縁膜/SiC界面の特性を改善する必要がある。本研究では通常の熱酸化法でSiO2/SiC界面に形成される界面遷移層を抑制することを目的として、HfO2またはAl2O3を有機金属原料とH2Oを前駆体とした交互供給MOCVD法によりSiC上に低温堆積させ、その界面特性を電気的特性とXPS測定により評価した。最も堆積温度の低い190ºCで得たHfO2/SiC, Al2O3/SiCは通常の熱酸化法で得られるSiO2/SiCに対して1/3以下の界面準位密度を示した。また、それよりも高い形成温度で得たHfO2/SiCの界面からは、サブオキサイド成分が増大し、界面準位が増大したことから、SiC基板の酸化が抑制するためには低温堆積が有利であることが明らかになった。 |
| （英） |
Improvement of insulator/SiC interface is remained as a key issue to fabricate SiC-power-MOSFETs. In this work, to avoid an interface transition layer which is formed at thermally-grown SiO2/SiC interface, HfO2 and Al2O3 films were deposited on SiC by source-gas pulse introduced MOCVD at low temperature. Capacitance – voltage (C-V) characteristics and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) measurement revealed that HfO2/SiC and Al2O3/SiC fabricated at 190 ºC have no sub-oxide at interface and lower interface state densities than typical thermally-grown SiO2/SiC. |
| キーワード |
（和） |
SiC / MOSFET / パワーデバイス / 界面準位 / / / / |
| （英） |
SiC / MOSFET / power device / interface state / / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 106, no. 108, SDM2006-42, pp. 1-5, 2006年6月. |
| 資料番号 |
SDM2006-42 |
| 発行日 |
2006-06-14 (SDM) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 |
| PDFダウンロード |
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| 研究会情報 |
| 研究会 |
SDM |
| 開催期間 |
2006-06-21 - 2006-06-22 |
| 開催地（和） |
広島大学, 学士会館 |
| 開催地（英） |
Faculty Club, Hiroshima Univ. |
| テーマ（和） |
ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術 |
| テーマ（英） |
Science and Technologies of Dielectric Thin Films for Future Electron Devices |
| 講演論文情報の詳細 |
| 申込み研究会 |
SDM |
| 会議コード |
2006-06-SDM |
| 本文の言語 |
日本語 |
| タイトル（和） |
MOCVD法による堆積膜/SiCの作製と評価 |
| サブタイトル（和） |
|
| タイトル（英） |
Characterization of oxide films/SiC fabricated by metal-organic chemical vapor deposition |
| サブタイトル（英） |
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| キーワード(1)（和/英） |
SiC / SiC |
| キーワード(2)（和/英） |
MOSFET / MOSFET |
| キーワード(3)（和/英） |
パワーデバイス / power device |
| キーワード(4)（和/英） |
界面準位 / interface state |
| キーワード(5)（和/英） |
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| キーワード(6)（和/英） |
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| キーワード(7)（和/英） |
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| キーワード(8)（和/英） |
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| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） |
日野 史郎 / Shiro Hino / ヒノ シロウ |
| 第1著者 所属（和/英） |
東京工業大学 (略称： 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） |
畑山 智裕 / Tomohiro Hatayama / ハタヤマ トモヒロ |
| 第2著者 所属（和/英） |
東京工業大学 (略称： 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） |
徳光 永輔 / Eisuke Tokumitsu / トクミツ エイスケ |
| 第3著者 所属（和/英） |
東京工業大学 (略称： 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） |
三浦 成久 / Naruhisa Miura / ミウラ ナルヒサ |
| 第4著者 所属（和/英） |
三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機)
Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Elec. Corp.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） |
大森 達夫 / Tatsuo Oomori / オオモリ タツオ |
| 第5著者 所属（和/英） |
三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機)
Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Elec. Corp.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 講演者 |
第1著者 |
| 発表日時 |
2006-06-21 13:00:00 |
| 発表時間 |
25分 |
| 申込先研究会 |
SDM |
| 資料番号 |
SDM2006-42 |
| 巻番号（vol） |
vol.106 |
| 号番号（no） |
no.108 |
| ページ範囲 |
pp.1-5 |
| ページ数 |
5 |
| 発行日 |
2006-06-14 (SDM) |