| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2006-06-22 15:05
XPSを用いたAu/極薄SiO2界面のバリアハイトの測定
○鈴木治彦・長谷川 覚・野平博司（武蔵工大）・服部健雄（武蔵工大/東工大）・山脇師之・鈴木信子（総研大）・小林大輔・廣瀬和之（JAXA） |
| 抄録 |
（和） |
MOSデバイスの微細化に伴い、ゲートSiO2膜の厚さは0.8nmにまで達した。このような極薄膜の領域では、金属/SiO2界面のバリアハイトは測定されていない。本研究ではXPSを用いてSiO2膜1.0nm以下のAu/SiO2界面のバリアハイトを測定する。界面バリアハイトをXPSで測定する方法として、XPSでSi2p束縛エネルギーから求める方法と、カットオフエネルギーから求める方法の二つを適用した結果を報告する。 |
| （英） |
As a result of ongoing scale-down of Si-MOS devices, gate SiO2 films have been thinned down to 0.8 nm. In this study, the metal/SiO2 barrier height for ultrathin SiO2 films of less than 1-nm thickness has been investigated by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). |
| キーワード |
（和） |
絶縁膜 / XPS / バリアハイト / 極薄SiO2膜 / 金属/SiO2界面 / / / |
| （英） |
XPS / Barrier height / Metal/SiO2 / Ultrathin SiO2 / Insulator / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 106, no. 108, SDM2006-63, pp. 119-124, 2006年6月. |
| 資料番号 |
SDM2006-63 |
| 発行日 |
2006-06-14 (SDM) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 |
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