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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2006-06-22 13:10 酸素雰囲気アニール中のHfO2/SiO2/Si(001)界面反応の高分解能RBS観察 趙 明・○中嶋 薫・鈴木基史・木村健二（京大）・植松真司（NTT）・鳥居和功・神山 聡・奈良安雄（半導体先端テクノロジーズ）・山田啓作（早大） エレソ技報アーカイブへのリンク：  SDM2006-59 |
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| 抄録 | （和） | (まだ登録されていません) |
| （英） | (Not available yet) | |
| キーワード | （和） | / / / / / / / |
| （英） | / / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 106, no. 108, SDM2006-59, pp. 99-102, 2006年6月. | |
| 資料番号 | SDM2006-59 | |
| 発行日 | 2006-06-14 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2006-59 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2006-06-21 - 2006-06-22 |
| 開催地（和） | 広島大学, 学士会館 |
| 開催地（英） | Faculty Club, Hiroshima Univ. |
| テーマ（和） | ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術 |
| テーマ（英） | Science and Technologies of Dielectric Thin Films for Future Electron Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2006-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 酸素雰囲気アニール中のHfO2/SiO2/Si(001)界面反応の高分解能RBS観察 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Interfacial reaction in HfO2/SiO2/Si(001) during O2 anneal observed by high-resolution RBS |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | / |
| キーワード(2)（和/英） | / |
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| キーワード(4)（和/英） | / |
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| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 趙 明 / Zhao Ming / チョウ メイ |
| 第1著者 所属（和/英） | 京都大学マイクロエンジニアリング専攻 (略称： 京大) Department of Micro Engineering, Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中嶋 薫 / Kaoru Nakajima / ナカジマ カオル |
| 第2著者 所属（和/英） | 京都大学マイクロエンジニアリング専攻 (略称： 京大) Department of Micro Engineering, Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 基史 / Motofumi Suzuki / スズキ モトフミ |
| 第3著者 所属（和/英） | 京都大学マイクロエンジニアリング専攻 (略称： 京大) Department of Micro Engineering, Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 木村 健二 / Kenji Kimura / キムラ ケンジ |
| 第4著者 所属（和/英） | 京都大学マイクロエンジニアリング専攻 (略称： 京大) Department of Micro Engineering, Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 植松 真司 / Masashi Uematsu / ウエマツ マサシ |
| 第5著者 所属（和/英） | NTT物性科学基礎研究所 (略称： NTT) NTT Basic Research Laboratories (略称： NTT BRL) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鳥居 和功 / Kazuyoshi Torii / トリイ カズヨシ |
| 第6著者 所属（和/英） | （株）半導体先端テクノロジーズ (略称： 半導体先端テクノロジーズ) Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. (略称： Selete) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 神山 聡 / Satoshi Kamiyama / カミヤマ サトシ |
| 第7著者 所属（和/英） | （株）半導体先端テクノロジーズ (略称： 半導体先端テクノロジーズ) Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. (略称： Selete) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 奈良 安雄 / Yasuo Nara / ナラ ヤスオ |
| 第8著者 所属（和/英） | （株）半導体先端テクノロジーズ (略称： 半導体先端テクノロジーズ) Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. (略称： Selete) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山田 啓作 / Keisaku Yamada / ヤマダ ケイサク |
| 第9著者 所属（和/英） | 早稲田大学ナノテクノロジー研究所 (略称： 早大) Nanotechnology Reseach Laboratories, Waseda University (略称： Waseda Univ.) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第2著者 |
| 発表日時 | 2006-06-22 13:10:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2006-59 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | no.108 |
| ページ範囲 | pp.99-102 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2006-06-14 (SDM) |
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