| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2006-06-22 10:30
角度分解光電子分光を用いたSiO2/SiN積層膜の窒素濃度分布の解析
○豊田智史・岡林 潤・尾嶋正治（東大）・劉 国林・劉 紫園・池田和人・臼田宏治（半導体理工学研究センター） |
| 抄録 |
（和） |
酸窒化膜の窒素濃度分布および化学結合状態はトランジスタの特性および構造を理解するために重要である。角度分解光電子分光法は薄膜の深さ方向元素濃度分析が可能であり、幅広く用いられている。しかしながら、光電子強度の解析法に強く依存してしまうことから、定量的な評価は一般的に難しい。そこで、定量的な窒素濃度分布の解析法として、最大エントロピー法を用いた解析プログラムを開発し、実験データに適用した。 |
| （英） |
Nitrogen in-depth profile and chemical states in Si oxynitride films are important to understand characteristics of the transistors and structure of the gate insulators. Angle-resolved photoelectron spectroscopy is widely utilized to probe the chemical states and the atomic concentration along the depth in thin films. However, it is generally difficult to perform quantitative analysis because the depth profile strongly depends on analytical methods for the intensity of the photoelectron spectra. We have developed a new program based on the maximum-entropy method for quantitative analysis of nitrogen in-depth profile and applied for experimental data. |
| キーワード |
（和） |
角度分解光電子分光 / 最大エントロピー法 / 深さ方向分析 / 化学結合状態 / / / / |
| （英） |
angle-resolved photoelectron spectroscopy / maximum-entropy method / in-depth profile / chemical states / / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 106, no. 108, SDM2006-55, pp. 77-80, 2006年6月. |
| 資料番号 |
SDM2006-55 |
| 発行日 |
2006-06-14 (SDM) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 |
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