| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2006-06-30 10:10
高抵抗RuドープInP埋込み構造を用いた1.3μm帯InGaAsP DFBレーザの100℃,10Gb/s動作
○伊賀龍三・近藤康洋・竹下達也・岸 健志・湯田正宏（NTT） |
| 抄録 |
（和） |
Ruthenium（Ru）をドープした高抵抗InP膜で埋込んだ構造の1.3ミクロン帯InGaAsP系MQW DFBレーザを作製し、高温における10Gb/s動作を評価した。この埋込み構造DFBレーザの光出力―注入電流（L-I）特性評価から、95℃において10mW以上の十分な光出力が得られ、120℃までCW発振することを確認した。小信号の変調特性評価から得られた緩和振動周波数（fr）は、95℃で10GHzと良好な値を示した。そして、10Gb/s直接変調時のアイパターン測定において0～100℃までの広い温度範囲で明瞭なアイ開口が実現できた。また85℃、光出力8mW一定におけるAPC通電試験では5000時間以上での安定動作を確認した。 |
| （英） |
We fabricated 1.3-um InGaAsP DFB lasers buried with a high-resistive ruthenium (Ru)-doped InP and evaluated 10Gb/s operation of the buried laser at high temperatures. The results of L-I characteristics showed that more than 10 mW of output power was obtained at 95 ℃ and CW operation up to 120 ℃ was observed. The high relaxation oscillation frequency of 10 GHz was obtained at 95 ℃. Clear eye openings under 10-Gbit/s direct modulation were achieved from 0 to 100 ℃. No significant degradation was observed for over 5000 hrs under APC mode with a constant output power of 8 mW at 85 ℃. |
| キーワード |
（和） |
高抵抗Ru-InP / 埋込み構造 / Zn拡散抑制 / InGaAsP-MQW-DFBレーザ / 緩和振動周波数 / 10Gb/s直接変調 / 高温動作 / |
| （英） |
high-resistive Ru-InP / buried structure / suppression of Zn diffusion / InGaAsP-MQW DFB laser / 10-Gb/s direct modulation / high temperature operation / relaxation oscillation frequency / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 106, no. 134, LQE2006-20, pp. 7-10, 2006年6月. |
| 資料番号 |
LQE2006-20 |
| 発行日 |
2006-06-23 (OPE, LQE) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 |
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