講演抄録/キーワード |
講演名 |
2006-07-27 13:30
通電加熱による有機ナノFETの作製とデバイス特性 ○宮田晴哉・伊丹恒平・酒井正俊・飯塚正明・中村雅一・工藤一浩(千葉大) エレソ技報アーカイブへのリンク:OME2006-54 |
抄録 |
(和) |
これまで我々は、基板上に形成した電極間に電界を印加しながらTTFとTCNQを共蒸着することによって、電界方向に配向したTTF-TCNQのワイヤ状結晶が成長することを報告してきた。TTF分子の蒸気圧はTCNQ分子の蒸気圧に比べて高いので、電極から成長するワイヤ状結晶はTCNQが優先的に成長し、その結果、接合部は高抵抗となる。この導電性ワイヤに通電加熱を施すことで高抵抗な接合部からTTFを脱離させ、微小な半導体領域を形成した。このような手法でナノFETを作製し、nチャネルFET動作を得た。 |
(英) |
We have carried out the co-evaporation of tetrathiafulvalene (TTF) and tetracyanoquinodimethane (TCNQ) under an electric field to grow TTF-TCNQ wire-like crystals along the applied electric field. A junction of two conductive wires has high resitivity because of preferential growth of TCNQ at the tip of the molecular wire. We fabricated a field effect transistor at the junction of connected wires by local Joule heat. With decreasing the local density of TTF, the transistor exhibited n-channel FET characteristics. |
キーワード |
(和) |
電荷移動錯体 / 有機導体 / 電界配向 / ナノFET / / / / |
(英) |
charge transfer complex / organic conductor / crystal growth under an electric field / nano-FET / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 106, no. 183, OME2006-54, pp. 23-26, 2006年7月. |
資料番号 |
OME2006-54 |
発行日 |
2006-07-20 (OME) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
エレソ技報アーカイブへのリンク:OME2006-54 |