| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2006-08-03 14:50
ダイヤモンドからの電子放出
○鹿田真一・山田貴壽・Christoph Nebel（産総研） |
| 抄録 |
（和） |
（111）ｎ型ダイヤモンドの表面を処理して、水素終端、酸素終端、再構成表面（炭素終端）を作り、電子放出特性を調べた。その結果、電子放出電界が、各々44、28、16V/μmであり、低い正の電子親和力を有する再構成表面からの放出が最も低かった。再構成表面の試料のＦＮプロットから、低電界ではＣＢからの電子、高電界ではドナーレベルからの電子放出が支配的であることが、推定された。また再構成表面は、長時間放出の安定性に優れることも確認した。水素や酸素終端の場合、実用上終端表面を保持することが困難であるが、再構成表面は通電アニールにより容易に再生可能であり、実用上も好ましいと考えられる。 |
| （英） |
Field emission characteristics of H, O terminated and reconstructed surface of (111) n type diamond are measured. Field emission threshold voltage are 44, 28 and 16V/μm for H, O terminated and reconstructed (C) surface, respectively. By the FN plot of reconstructed surface, it is estimated that electron from conduction band is observed at low voltage and electron from donor level is observed at high voltage for the reconstructed surface. It has been confirmed that the emission stability can be expected for the reconstructed surface. The reconstructed surface is suitable for future application of diamond to FE due to its regenerable feature, whereas the refleshment procedure is difficult for H and O terminated surface. |
| キーワード |
（和） |
ダイヤモンド / 電子放出 / 再構成表面 / n型 / / / / |
| （英） |
Diamond / Field Emission / Re-constructed surface / n type / / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 106, no. 200, ED2006-122, pp. 27-31, 2006年8月. |
| 資料番号 |
ED2006-122 |
| 発行日 |
2006-07-27 (ED) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 |
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