| 研究会情報 |
| 研究会 |
CPM |
| 開催期間 |
2006-08-07 - 2006-08-08 |
| 開催地(和) |
岩手大学 |
| 開催地(英) |
Iwate Univ. |
| テーマ(和) |
電子部品・材料,一般 |
| テーマ(英) |
Electronic Component Parts and Materials, etc. |
| 講演論文情報の詳細 |
| 申込み研究会 |
CPM |
| 会議コード |
2006-08-CPM |
| 本文の言語 |
日本語 |
| タイトル(和) |
Hot-mesh CVD法によるAlNバッファー層を用いたSiC/Si(111)上へのGaN成長 |
| サブタイトル(和) |
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| タイトル(英) |
Growth of GaN on SiC/Si(111) substrates using AlN buffer layer by hot-mesh CVD method |
| サブタイトル(英) |
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| キーワード(1)(和/英) |
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| キーワード(8)(和/英) |
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| 第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
田村 和之 / Kazuyuki Tamura / タムラ カズユキ |
| 第1著者 所属(和/英) |
長岡技術科学大学 (略称: 長岡技科大)
Nagaoka University of Technology (略称: Nagaoka Univ. of Tech) |
| 第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
深田 祐介 / Yusuke Fukada / フカダ ユウスケ |
| 第2著者 所属(和/英) |
長岡技術科学大学 (略称: 長岡技科大)
Nagaoka University of Technology (略称: Nagaoka Univ. of Tech) |
| 第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
黒木 雄一郎 / Yuichiro Kuroki / クロキ ユウイチロウ |
| 第3著者 所属(和/英) |
長岡技術科学大学 (略称: 長岡技科大)
Nagaoka University of Technology (略称: Nagaoka Univ. of Tech) |
| 第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
高田 雅介 / Masasuke Takata / タカタ マサスケ |
| 第4著者 所属(和/英) |
長岡技術科学大学 (略称: 長岡技科大)
Nagaoka University of Technology (略称: Nagaoka Univ. of Tech) |
| 第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
安井 寛治 / Kanji Yasui / ヤスイ カンジ |
| 第5著者 所属(和/英) |
長岡技術科学大学 (略称: 長岡技科大)
Nagaoka University of Technology (略称: Nagaoka Univ. of Tech) |
| 第6著者 氏名(和/英/ヨミ) |
赤羽 正志 / Tadashi Akahane / アカハネ タダシ |
| 第6著者 所属(和/英) |
長岡技術科学大学 (略称: 長岡技科大)
Nagaoka University of Technology (略称: Nagaoka Univ. of Tech) |
| 第7著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 第8著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 第15著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 第30著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 第34著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 第35著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 第36著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 第36著者 所属(和/英) |
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| 講演者 |
第1著者 |
| 発表日時 |
2006-08-07 16:40:00 |
| 発表時間 |
25分 |
| 申込先研究会 |
CPM |
| 資料番号 |
CPM2006-47 |
| 巻番号(vol) |
vol.106 |
| 号番号(no) |
no.203 |
| ページ範囲 |
pp.37-41 |
| ページ数 |
5 |
| 発行日 |
2006-07-31 (CPM) |