| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2006-08-07 14:20
MOCVD法によるSi(100)基板上ZnO薄膜形成
○輪島寿夫・廣瀬文彦（山形大） |
| 抄録 |
（和） |
ZnOは発光材料や透明導電膜等の広い汎用性を持っており、実用化へと多くの研究がなされている。我々はウィスカーのZnO電子デバイス応用を実現するため、Si上にCVD法によりZnO膜を作製し、ZnOの基板温度変化による系統的変化を観察した。200℃～550℃の間では3段階の成長の変化が起こり、表面形状・配向性・成長速度において顕著な変化が見られた。 |
| （英） |
(Not available yet) |
| キーワード |
（和） |
ZnO / MOCVD / ウィスカー / / / / / |
| （英） |
ZnO / MOCVD / Whisker / / / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 106, no. 203, CPM2006-42, pp. 9-13, 2006年8月. |
| 資料番号 |
CPM2006-42 |
| 発行日 |
2006-07-31 (CPM) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 |
| PDFダウンロード |
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| 研究会情報 |
| 研究会 |
CPM |
| 開催期間 |
2006-08-07 - 2006-08-08 |
| 開催地（和） |
岩手大学 |
| 開催地（英） |
Iwate Univ. |
| テーマ（和） |
電子部品・材料，一般 |
| テーマ（英） |
Electronic Component Parts and Materials, etc. |
| 講演論文情報の詳細 |
| 申込み研究会 |
CPM |
| 会議コード |
2006-08-CPM |
| 本文の言語 |
日本語 |
| タイトル（和） |
MOCVD法によるSi(100)基板上ZnO薄膜形成 |
| サブタイトル（和） |
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| タイトル（英） |
ZnO thin film growth on Si(100) by MOCVD |
| サブタイトル（英） |
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| キーワード(1)（和/英） |
ZnO / ZnO |
| キーワード(2)（和/英） |
MOCVD / MOCVD |
| キーワード(3)（和/英） |
ウィスカー / Whisker |
| キーワード(4)（和/英） |
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| キーワード(5)（和/英） |
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| キーワード(6)（和/英） |
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| キーワード(7)（和/英） |
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| キーワード(8)（和/英） |
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| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） |
輪島 寿夫 / Hisao Wajima / |
| 第1著者 所属（和/英） |
山形大学 (略称： 山形大)
Yamagata University (略称： Yamagata Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） |
廣瀬 文彦 / Fumihiko Hirose / |
| 第2著者 所属（和/英） |
山形大学 (略称： 山形大)
Yamagata University (略称： Yamagata Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第36著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第36著者 所属（和/英） |
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| 講演者 |
第1著者 |
| 発表日時 |
2006-08-07 14:20:00 |
| 発表時間 |
25分 |
| 申込先研究会 |
CPM |
| 資料番号 |
CPM2006-42 |
| 巻番号（vol） |
vol.106 |
| 号番号（no） |
no.203 |
| ページ範囲 |
pp.9-13 |
| ページ数 |
5 |
| 発行日 |
2006-07-31 (CPM) |
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