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講演抄録/キーワード
講演名 2006-08-17 13:30
[特別招待講演]SOI技術による7.5μm厚、0.15mm角RFIDチップの開発
宇佐美光雄日立
抄録 (和) 0.18µm CMOS SOI技術による7.5µm厚で,0.15mm角のRFIDチップを開発した.動作キャリア周波数は2.45GHzで通信距離は480mmである.SOI技術を用いると,埋め込み酸化膜層を薄型加工時のエッチングストッパーとして使用することができる.RFIDアンテナはチップ両面電極構造によりチップに接続される. 
(英) This paper presents a newly developed radio frequency identification (RFID) chip that is ultra-thin (7.5µm) and ultra-small (0.15mm x 0.15mm) and is fabricated with 0.18µm SOI CMOS technology to reduce device cost and increase mechanical stress endurance. The operation carrier frequency is 2.45GHz and the communication distance was 480mm. The chip is thinned precisely by using an SOI buried oxide layer structure as an etch stop. An RFID antenna is connected to the chip by using a double-surface electrode.
キーワード (和) CMOS / SOI技術 / RFID / 両面電極構造 / / / /  
(英) CMOS / SOI Technology / RFID / Double-Surface Electrode / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 106, no. 207, ICD2006-87, pp. 47-50, 2006年8月.
資料番号 ICD2006-87 
発行日 2006-08-10 (SDM, ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685
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研究会情報
研究会 ICD SDM  
開催期間 2006-08-17 - 2006-08-18 
開催地(和) 北海道大学 
開催地(英) Hokkaido University 
テーマ(和) VLSI回路、デバイス技術(高速、低電圧、低消費電力) <オーガナイザ:平本 俊郎(東京大学)> 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ICD 
会議コード 2006-08-ICD-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) SOI技術による7.5μm厚、0.15mm角RFIDチップの開発 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Development of SOI-Based 7.5μm-Thick 0.15x0.15mm2 RFID Chip 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) CMOS / CMOS  
キーワード(2)(和/英) SOI技術 / SOI Technology  
キーワード(3)(和/英) RFID / RFID  
キーワード(4)(和/英) 両面電極構造 / Double-Surface Electrode  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 宇佐美 光雄 / Mitsuo Usami / ウサミ ミツオ
第1著者 所属(和/英) (株)日立製作所 (略称: 日立)
Hitachi, Ltd. (略称: Hitachi)
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講演者 第1著者 
発表日時 2006-08-17 13:30:00 
発表時間 50分 
申込先研究会 ICD 
資料番号 SDM2006-133, ICD2006-87 
巻番号(vol) vol.106 
号番号(no) no.206(SDM), no.207(ICD) 
ページ範囲 pp.47-50 
ページ数
発行日 2006-08-10 (SDM, ICD) 


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