講演抄録/キーワード |
講演名 |
2006-09-26 13:00
3次元プロセスデバイスシミュレーションによるBulk-FinFETの駆動電流の改善 ○金村貴永・泉田貴士・青木伸俊・近藤正樹・伊藤早苗・遠田利之・岡野王俊・川崎博久・八木下淳史・金子明生・稲葉 聡・中村光利・石丸一成・須黒恭一・江口和弘(東芝) エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2006-164 |
抄録 |
(和) |
3次元プロセス/デバイスシミュレーションを用いてbulk-FinFETの構造とイオン注入条件の最適化を検討した。チャネルのイオン注入条件は、パンチスルー電流が低く、且つ駆動電流が高くなるように最適化した。ストレスライナーを付けたときの応力解析を行った結果、SOI-FinFETよりもbulk-FinFETの方が大きなストレスが発生していることが分かった。Raised Source/Drain(RSD)構造を適用するときには、ソースドレイン拡散層のイオン注入条件を最適化した。ストレスライナーとRSDの組み合わせはbulk-FinFETの駆動電流向上に有効であることが分かった。 |
(英) |
We discussed the optimization of structure of bulk-FinFETs and ion implantations by using 3-D process and device simulations. The ion implantation for channel region was determined so as to realize higher drive current with lower punch-through current. The analysis of mechanical stress for bulk-FinFETs and SOI-FinFETs revealed that the channel stress induced by a stress liner in the bulk-FinFET was larger than that for the SOI-FinFET. In addition, we applied a raised source/drain (RSD) structure to the bulk-FinFETs and optimized ion implantations in the RSD region. The combination of stress liner and RSD structure is found to be efficient for improving drive current of a bulk-FinFET. |
キーワード |
(和) |
FinFET / 駆動電流 / パンチスルー電流 / 移動度向上 / 最適化 / 3次元プロセスシミュレーション / 3次元デバイスシミュレーション / TCAD |
(英) |
FinFET / drive current / punch-through current / mobility enhancement / optimization / 3-D process simulation / 3-D device simulation / TCAD |
文献情報 |
信学技報, vol. 106, no. 256, SDM2006-164, pp. 25-29, 2006年9月. |
資料番号 |
SDM2006-164 |
発行日 |
2006-09-18 (VLD, SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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