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講演抄録/キーワード
講演名
2006-10-05 16:10
マイクロラマン分光によるAlGaN/GaN HFET高電圧動作時の温度分布解析
○
小坂賢一
・
藤嶌辰也
(
立命館大
)・
井上 薫
(
素子協
)・
檜木啓宏
(
立命館大
)・
山田朋幸
・
土屋忠厳
・
城川潤二郎
・
神谷慎一
(
素子協
)・
鈴木 彰
(
立命館大/素子協
)・
荒木 努
・
名西ヤスシ
(
立命館大
)
抄録
(和)
(まだ登録されていません)
(英)
(Not available yet)
キーワード
(和)
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(英)
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文献情報
信学技報, vol. 106, no. 269, ED2006-159, pp. 39-43, 2006年10月.
資料番号
ED2006-159
発行日
2006-09-28 (ED, CPM, LQE)
ISSN
Print edition: ISSN 0913-5685
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研究会情報
研究会
ED CPM LQE
開催期間
2006-10-05 - 2006-10-06
開催地(和)
京都大学
開催地(英)
テーマ(和)
窒化物および混晶半導体デバイス
テーマ(英)
講演論文情報の詳細
申込み研究会
ED
会議コード
2006-10-ED-CPM-LQE
本文の言語
日本語
タイトル(和)
マイクロラマン分光によるAlGaN/GaN HFET高電圧動作時の温度分布解析
サブタイトル(和)
タイトル(英)
Temperature Distribution Analysis of AlGaN/GaN HFETs Operated at High Voltage Using Micro-Raman Spectroscopy
サブタイトル(英)
キーワード(1)(和/英)
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キーワード(2)(和/英)
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キーワード(3)(和/英)
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キーワード(4)(和/英)
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キーワード(5)(和/英)
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キーワード(6)(和/英)
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キーワード(7)(和/英)
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キーワード(8)(和/英)
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ)
小坂 賢一
/
Kenichi Kosaka
/
コサカ ケンイチ
第1著者 所属(和/英)
立命館大学
(略称:
立命館大
)
Ritsumeikan University
(略称:
Ritsumeikan Univ.
)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ)
藤嶌 辰也
/
Tatsuya Hujishima
/
フジシマ タツヤ
第2著者 所属(和/英)
立命館大学
(略称:
立命館大
)
Ritsumeikan University
(略称:
Ritsumeikan Univ.
)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ)
井上 薫
/
Kaoru Inoue
/
イノウエ カオル
第3著者 所属(和/英)
新機能素子研究開発協会
(略称:
素子協
)
R&D Association for Future Electron Devices
(略称:
FED
)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ)
檜木 啓宏
/
Akihiro Hinoki
/
ヒノキ アキヒロ
第4著者 所属(和/英)
立命館大学
(略称:
立命館大
)
Ritsumeikan University
(略称:
Ritsumeikan Univ.
)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ)
山田 朋幸
/
Tomoaki Yamada
/
ヤマダ トモアキ
第5著者 所属(和/英)
新機能素子研究開発協会
(略称:
素子協
)
R&D Association for Future Electron Devices
(略称:
FED
)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ)
土屋 忠厳
/
Tadayoshi Tsuchiya
/
ツチヤ タダヨシ
第6著者 所属(和/英)
新機能素子研究開発協会
(略称:
素子協
)
R&D Association for Future Electron Devices
(略称:
FED
)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ)
城川 潤二郎
/
Junjiroh Kikawa
/
キカワ ジュンジロウ
第7著者 所属(和/英)
新機能素子研究開発協会
(略称:
素子協
)
R&D Association for Future Electron Devices
(略称:
FED
)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ)
神谷 慎一
/
Shinichi Kamiya
/
カミヤ シンイチ
第8著者 所属(和/英)
新機能素子研究開発協会
(略称:
素子協
)
R&D Association for Future Electron Devices
(略称:
FED
)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ)
鈴木 彰
/
Akira Suzuki
/
スズキ アキラ
第9著者 所属(和/英)
立命館大学/新機能素子研究開発協会
(略称:
立命館大/素子協
)
Ritsumeikan University,R&D Association for Future Electron Devices
(略称:
Ritsumeikan Univ./FED
)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ)
荒木 努
/
Tsutomu Araki
/
アラキ ツトム
第10著者 所属(和/英)
立命館大学
(略称:
立命館大
)
Ritsumeikan University
(略称:
Ritsumeikan Univ.
)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ)
名西 ヤスシ
/
Yasushi Nanishi
/
ナニシ ヤスシ
第11著者 所属(和/英)
立命館大学
(略称:
立命館大
)
Ritsumeikan University
(略称:
Ritsumeikan Univ.
)
第12著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第12著者 所属(和/英)
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第13著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第13著者 所属(和/英)
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第14著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第14著者 所属(和/英)
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第15著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第16著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第16著者 所属(和/英)
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第17著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第18著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第18著者 所属(和/英)
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第19著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第19著者 所属(和/英)
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第20著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第20著者 所属(和/英)
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第21著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第21著者 所属(和/英)
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第22著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第22著者 所属(和/英)
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第23著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第23著者 所属(和/英)
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第24著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第24著者 所属(和/英)
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第25著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第25著者 所属(和/英)
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第26著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第26著者 所属(和/英)
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第27著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第27著者 所属(和/英)
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第28著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第28著者 所属(和/英)
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第29著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第29著者 所属(和/英)
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第30著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第30著者 所属(和/英)
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第31著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第31著者 所属(和/英)
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第32著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第32著者 所属(和/英)
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第33著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第33著者 所属(和/英)
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第34著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第34著者 所属(和/英)
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第35著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第35著者 所属(和/英)
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第36著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第36著者 所属(和/英)
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(略称: )
講演者
第1著者
発表日時
2006-10-05 16:10:00
発表時間
25分
申込先研究会
ED
資料番号
ED2006-159, CPM2006-96, LQE2006-63
巻番号(vol)
vol.106
号番号(no)
no.269(ED), no.270(CPM), no.271(LQE)
ページ範囲
pp.39-43
ページ数
5
発行日
2006-09-28 (ED, CPM, LQE)
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