| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2006-10-05 14:15
SiC基板上AlGaN/GaN HEMTの結晶成長に関する研究
○岩崎天彦・石川博康・江川孝志（名工大） |
| 抄録 |
（和） |
AlGaN/GaN HEMTは次世代の高出力・高周波デバイスとして期待されている。今回、電子移動度の向上を目的としMOCVD法を用いてSiC基板上へのAlGaN/GaN HEMT構造の結晶成長を行った。AlN初期層の膜厚依存性を調べたところ、AlN初期層の膜厚が100 nmの場合に室温での電子移動度が1568 cm2/Vsとなり、最も良好な結果を得た。さらに、AlNスペーサ層を挿入し膜厚依存性を調べたところ、AlNスペーサ層の膜厚が1 nmの場合に室温で2189 cm2/Vs、77Kで20998 cm2/Vsという高い移動度が得られた。 |
| （英） |
AlGaN/GaN HEMT is a promising candidate for next generation high-power and high-frequency devices. In our study to improve electron mobility, MOCVD method was used to grow AlGaN/GaN HEMT structure on SiC substrate. In the investigation of AlN initial layer thickness dependence, AlN initial layer with 100 nm thickness shows very good electron mobility of 1568 cm2/Vs at RT. Furthermore, in our study with the insertion of AlN spacer layer and its thickness dependence, high electron mobility of 2189 cm2/Vs at RT and 20998 cm2/Vs at 77 K were obtained. |
| キーワード |
（和） |
SiC基板 / GaN / AlGaN/GaN / MOCVD / 高電子移動度トランジスタ (HEMT) / / / |
| （英） |
SiC substrate / GaN / AlGaN/GaN / MOCVD / HEMT / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 106, no. 269, ED2006-155, pp. 19-22, 2006年10月. |
| 資料番号 |
ED2006-155 |
| 発行日 |
2006-09-28 (ED, CPM, LQE) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 |
| PDFダウンロード |
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| 研究会情報 |
| 研究会 |
ED CPM LQE |
| 開催期間 |
2006-10-05 - 2006-10-06 |
| 開催地（和） |
京都大学 |
| 開催地（英） |
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| テーマ（和） |
窒化物および混晶半導体デバイス |
| テーマ（英） |
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| 講演論文情報の詳細 |
| 申込み研究会 |
ED |
| 会議コード |
2006-10-ED-CPM-LQE |
| 本文の言語 |
日本語 |
| タイトル（和） |
SiC基板上AlGaN/GaN HEMTの結晶成長に関する研究 |
| サブタイトル（和） |
|
| タイトル（英） |
Study on crystal growth of AlGaN/GaN HEMT on SiC substrate |
| サブタイトル（英） |
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| キーワード(1)（和/英） |
SiC基板 / SiC substrate |
| キーワード(2)（和/英） |
GaN / GaN |
| キーワード(3)（和/英） |
AlGaN/GaN / AlGaN/GaN |
| キーワード(4)（和/英） |
MOCVD / MOCVD |
| キーワード(5)（和/英） |
高電子移動度トランジスタ (HEMT) / HEMT |
| キーワード(6)（和/英） |
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| キーワード(7)（和/英） |
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| キーワード(8)（和/英） |
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| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） |
岩崎 天彦 / Takahiko Iwasaki / イワサキ タカヒコ |
| 第1著者 所属（和/英） |
名古屋工業大学 (略称： 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） |
石川 博康 / Hiroyasu Ishikawa / イシカワ ヒロヤス |
| 第2著者 所属（和/英） |
名古屋工業大学 (略称： 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） |
江川 孝志 / Takashi Egawa / エガワ タカシ |
| 第3著者 所属（和/英） |
名古屋工業大学 (略称： 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 講演者 |
第1著者 |
| 発表日時 |
2006-10-05 14:15:00 |
| 発表時間 |
25分 |
| 申込先研究会 |
ED |
| 資料番号 |
ED2006-155, CPM2006-92, LQE2006-59 |
| 巻番号（vol） |
vol.106 |
| 号番号（no） |
no.269(ED), no.270(CPM), no.271(LQE) |
| ページ範囲 |
pp.19-22 |
| ページ数 |
4 |
| 発行日 |
2006-09-28 (ED, CPM, LQE) |
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