| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2006-10-27 10:30
３次元トランジスタFinFETを用いたシステムLSIの設計法 ～ パターン面積の縮小効果の見積もり ～
○渡辺重佳・岡本恵介・大谷 真（湘南工科大） |
| 抄録 |
（和） |
３次元トランジスタFinFETを用いたシステムLSIの設計法、特に素子領域のパターン面積の縮小効果について検討した。”平面型＋FinFET型”を導入し、側壁チャネル幅を最適化することにより、性能を犠牲にする事無くパターン面積を従来の平面型を用いた場合と比較して約３０％に縮小できる。ウェル境界、配線領域等の素子領域以外では縮小効果は期待できず今後更なる検討が必要になる。最後に今後の展望として現在検討中のCMOS3のセルライブラリのを用いた詳細検討の一部について述べる。 |
| （英） |
New design method of system LSI with FinFET has been developed. Using planar+FinFET architecture the pattern area of system LSI designed by cell library can be reduced to about 30% compared with the conventional planar case. New design method is a promising candidate for realizing future high performance, high-density system LSI. |
| キーワード |
（和） |
システムＬＳＩ / FinFET / チャネル幅 / 側壁チャネル幅 / セルライブラリ / TIS / / |
| （英） |
system LSI / FinFET / channel width / sidewall channel width / cell library / TIS / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 106, no. 317, ICD2006-131, pp. 25-30, 2006年10月. |
| 資料番号 |
ICD2006-131 |
| 発行日 |
2006-10-20 (SIP, ICD, IE) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 |
| PDFダウンロード |
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| 研究会情報 |
| 研究会 |
ICD SIP IE IPSJ-SLDM |
| 開催期間 |
2006-10-26 - 2006-10-27 |
| 開催地（和） |
宮城県・作並温泉・一の坊 |
| 開催地（英） |
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| テーマ（和） |
システムLSIの応用と要素技術、専用プロセッサ、プロセッサ、DSP、画像処理技術、及び一般<オーガナイザ：亀山 充隆（東北大学）> |
| テーマ（英） |
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| 講演論文情報の詳細 |
| 申込み研究会 |
ICD |
| 会議コード |
2006-10-ICD-SIP-IE-IPSJ-SLDM |
| 本文の言語 |
日本語 |
| タイトル（和） |
３次元トランジスタFinFETを用いたシステムLSIの設計法 |
| サブタイトル（和） |
パターン面積の縮小効果の見積もり |
| タイトル（英） |
Design Method of System LSI with Three-Dimensional Transistor (FinFET) |
| サブタイトル（英） |
Reduction of pattern Area |
| キーワード(1)（和/英） |
システムＬＳＩ / system LSI |
| キーワード(2)（和/英） |
FinFET / FinFET |
| キーワード(3)（和/英） |
チャネル幅 / channel width |
| キーワード(4)（和/英） |
側壁チャネル幅 / sidewall channel width |
| キーワード(5)（和/英） |
セルライブラリ / cell library |
| キーワード(6)（和/英） |
TIS / TIS |
| キーワード(7)（和/英） |
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| キーワード(8)（和/英） |
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| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） |
渡辺 重佳 / Shigeyoshi Watanabe / ワタナベ シゲヨシ |
| 第1著者 所属（和/英） |
湘南工科大学 (略称： 湘南工科大)
Shonan Institute of Technology (略称： SIT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） |
岡本 恵介 / Keisuke Okamoto / オカモト 恵介 |
| 第2著者 所属（和/英） |
湘南工科大学 (略称： 湘南工科大)
Shonan Institute of Technology (略称： SIT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） |
大谷 真 / Makoto Oya / |
| 第3著者 所属（和/英） |
湘南工科大学 (略称： 湘南工科大)
Shonan Institute of Technology (略称： SIT) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 講演者 |
第1著者 |
| 発表日時 |
2006-10-27 10:30:00 |
| 発表時間 |
20分 |
| 申込先研究会 |
ICD |
| 資料番号 |
SIP2006-105, ICD2006-131, IE2006-83 |
| 巻番号（vol） |
vol.106 |
| 号番号（no） |
no.315(SIP), no.317(ICD), no.319(IE) |
| ページ範囲 |
pp.25-30 |
| ページ数 |
6 |
| 発行日 |
2006-10-20 (SIP, ICD, IE) |