| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2007-02-01 14:45
［招待講演］SiGe系量子効果デバイス ～ 共鳴トンネルダイオード(RTD)とGeドットアレイ技術 ～
○須田良幸・前川裕隆・佐野嘉洋・高橋陽一・小林忠正・花房宏明（東京農工大） |
| 抄録 |
（和） |
地球資源的に有望なSi系材料を用いる次世代のナノデバイスとして，SiGe共鳴トンネルデバイス（RTD）および通信波長帯の光デバイス用Geドットアレイ技術を展開している．この中で，環境軽負荷型のSiGe系スパッタエピタキシー法を開発した．また、不整合転位を2つの界面に分散し，貫通転位の表出を抑制した高濃度Pドープが可能な薄型4層歪緩和バッファを提案し，Type?バンドオフセットを用いた高PVCRを示す縦型および平面型の電子トンネル型2重量子井戸RTDを開発した．また、2重量子井戸構造の縦型の正孔トンネル型RTDを試作し，初めて室温で負性抵抗特性を得た．さらに，Geドットの人為的位置制御機構を明らかにして制御手法を提案し，ドットを人為的に規則配列したスタック構造の光デバイス用Geドットアレイを作製した． |
| （英） |
We are developing SiGe resonant tunneling diodes and an artificially positioned Ge dot array for light communication systems as next-generation nano devices using a Si-system material which is promising in terms of earth resources. Through this work, we have developed a Si1-xGex sputter epitaxy method in terms of environmental load issues. We also have proposed a strain-relieving quadruple-layer buffer with which misfit dislocations are evenly distributed in the lower two interfaces and the upper two layers prevent threading dislocations from being propagated to the buffer surface. With this buffer, we have developed electron-tunneling vertical- and planer-type double-quantum-well RTDs. And the negative resistance characteristics of double-quantum-well hole-tunneling RTDs have been first observed at room temperature. Further, we have cleared the Ge dot artificially positioning mechanisms and method and have successfully fabricated artificially dot-positioned stacked Ge dot array. |
| キーワード |
（和） |
量子効果デバイス / 共鳴トンネルダイオード / 歪緩和 / Geドット / ナノデバイス / / / |
| （英） |
Quantum Effect Device / Resonant Tunneling Diode / Strain Relief / Ge Dot / Nano Device / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 106, no. 520, ED2006-243, pp. 17-22, 2007年2月. |
| 資料番号 |
ED2006-243 |
| 発行日 |
2007-01-25 (ED, SDM) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 |
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