| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2007-03-15 13:30
抵抗変化メモリの熱反応モデルを用いたリセット動作の検討
○佐藤嘉洋・木下健太郎・能代英之・青木正樹・杉山芳弘（富士通研） |
| 抄録 |
（和） |
あらまし 我々は二元系金属酸化物 (BMO) 素子からなる抵抗変化メモリ(ReRAM)のセルにパルス電圧を印加する評価を行い、リセット動作における抵抗変化にかかる時間が低抵抗状態での抵抗値に依存することを見出した。ここでは簡単な熱伝導方程式によってBMO膜内に存在すると考えられるフィラメント内の発熱温度を計算し、リセット時のフィラメント温度が毎リセットで同程度になることを見積もった。リセット動作にこの一般的な熱反応モデルを仮定することによって先のリセット時間と抵抗値の関係がうまく説明でき、リセットには熱アシスト的な作用が大きく寄与していることを推察した。 |
| （英） |
We investigated the resistive memory (ReRAM) cells with binary metal oxide (BMO) junctions by applying a short voltage pulse and found that the response time of the RESET process was dependent on the resistance in the low resistive state. The temperature of the filamentary conductive path in the BMO film in the RESET process was estimated to reach the same temperature grade in each RESET by using a thermal conductive equation. The previous experimental relation is well explained by assuming a general thermal chemical reaction model for the RESET process. |
| キーワード |
（和） |
ReRAM / 抵抗変化メモリ / NiO / TiO2 / リセット / 熱反応モデル / フィラメント / |
| （英） |
ReRAM / resistive memory / NiO / TiO2 / RESET / thermal chemical reaction model / filament / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 106, no. 593, SDM2006-255, pp. 7-10, 2007年3月. |
| 資料番号 |
SDM2006-255 |
| 発行日 |
2007-03-08 (SDM) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 |
| PDFダウンロード |
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| 研究会情報 |
| 研究会 |
SDM |
| 開催期間 |
2007-03-15 - 2007-03-15 |
| 開催地（和） |
機械振興会館 |
| 開催地（英） |
Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） |
不揮発性メモリおよび関連プロセス一般 |
| テーマ（英） |
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| 講演論文情報の詳細 |
| 申込み研究会 |
SDM |
| 会議コード |
2007-03-SDM |
| 本文の言語 |
日本語 |
| タイトル（和） |
抵抗変化メモリの熱反応モデルを用いたリセット動作の検討 |
| サブタイトル（和） |
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| タイトル（英） |
Reset switching mechanism of ReRAM using thermal reaction model |
| サブタイトル（英） |
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| キーワード(1)（和/英） |
ReRAM / ReRAM |
| キーワード(2)（和/英） |
抵抗変化メモリ / resistive memory |
| キーワード(3)（和/英） |
NiO / NiO |
| キーワード(4)（和/英） |
TiO2 / TiO2 |
| キーワード(5)（和/英） |
リセット / RESET |
| キーワード(6)（和/英） |
熱反応モデル / thermal chemical reaction model |
| キーワード(7)（和/英） |
フィラメント / filament |
| キーワード(8)（和/英） |
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| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） |
佐藤 嘉洋 / Yoshihiro Sato / サトウ ヨシヒロ |
| 第1著者 所属（和/英） |
富士通研究所 (略称： 富士通研)
FUJITSU LABORATORIES (略称： FUJITSU LAB.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） |
木下 健太郎 / Kentaro Kinoshita / キノシタ ケンタロウ |
| 第2著者 所属（和/英） |
富士通研究所 (略称： 富士通研)
FUJITSU LABORATORIES (略称： FUJITSU LAB.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） |
能代 英之 / Hideyuki Noshiro / ノシロ ヒデユキ |
| 第3著者 所属（和/英） |
富士通研究所 (略称： 富士通研)
FUJITSU LABORATORIES (略称： FUJITSU LAB.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） |
青木 正樹 / Masaki Aoki / アオキ マサキ |
| 第4著者 所属（和/英） |
富士通研究所 (略称： 富士通研)
FUJITSU LABORATORIES (略称： FUJITSU LAB.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） |
杉山 芳弘 / Yoshihiro Sugiyama / スギヤマ ヨシヒロ |
| 第5著者 所属（和/英） |
富士通研究所 (略称： 富士通研)
FUJITSU LABORATORIES (略称： FUJITSU LAB.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第6著者 所属（和/英） |
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| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第36著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 講演者 |
第1著者 |
| 発表日時 |
2007-03-15 13:30:00 |
| 発表時間 |
25分 |
| 申込先研究会 |
SDM |
| 資料番号 |
SDM2006-255 |
| 巻番号（vol） |
vol.106 |
| 号番号（no） |
no.593 |
| ページ範囲 |
pp.7-10 |
| ページ数 |
4 |
| 発行日 |
2007-03-08 (SDM) |