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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2007-04-12 10:00 セルフリファレンスセンスアンプを用いた高密度1T-4MTJ MRAM ○村井泰光・谷崎弘晃（ルネサスデザイン）・辻 高晴・大谷 順・山口雄一郎・古田陽雄・上野修一・大石 司・林越正紀・日高秀人（ルネサステクノロジ）  ICD2007-3 |
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| 抄録 | （和） | 1T-4MTJ(1-Transistor 4-Magnetic Tunnel Junction)という高密度なMRAM(磁気ランダムアクセスメモリ)セルを提案した。 高密度セルを高速に読み出すために、新たに電圧オフセット付加型セルフリファレンスセンスアンプを採用した。 シミュレーションによりtAC=56nsecおよび50MHz@4cycleの高速メモリオペレーションが可能であることを確認した。 この新しい1T-4MTJセルを使用した1Mb MRAM TEG を130nm CMOSプロセスを用いて試作し良好な動作を確認することができた。 |
| （英） | A high-density memory cell named 1-Transistor 4-Magnetic Tunnel Junction (1T-4MTJ) has been proposed for Magnetic Random Access Memory (MRAM). The new 1T-4MTJ cell has been successfully demonstrated by a 1Mb MRAM test device, using a 130nm CMOS process. The sensing scheme of a Self-Reference Sense amplifier with Voltage offset (SRSV) enables high-speed memory operation (access time) of tAC=56nsec and 50MHz@4Cycle. |
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| キーワード | （和） | MRAM / MTJ / セルフリファレンス / 高密度 / / / / |
| （英） | MRAM / MTJ / Self Reference / High density / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 1, ICD2007-3, pp. 13-16, 2007年4月. | |
| 資料番号 | ICD2007-3 | |
| 発行日 | 2007-04-05 (ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ICD2007-3 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
| 開催期間 | 2007-04-12 - 2007-04-13 |
| 開催地（和） | 大分県・湯布院・七色の風 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 新メモリ技術とシステムLSI<オーガナイザ：堂阪 勝己(ルネサステクノロジ)> |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2007-04-ICD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | セルフリファレンスセンスアンプを用いた高密度1T-4MTJ MRAM |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A high-density 1T-4MTJ MRAM with Self-Reference Sensing Scheme |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | MRAM / MRAM |
| キーワード(2)（和/英） | MTJ / MTJ |
| キーワード(3)（和/英） | セルフリファレンス / Self Reference |
| キーワード(4)（和/英） | 高密度 / High density |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 村井 泰光 / Yasumitsu Murai / ムライ ヤスミツ |
| 第1著者 所属（和/英） | 株式会社ルネサスデザイン (略称： ルネサスデザイン) Renesas Design Corporation (略称： Renesas Design) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 谷崎 弘晃 / Hiroaki Tanizaki / タニザキ ヒロアキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 株式会社ルネサスデザイン (略称： ルネサスデザイン) Renesas Design Corporation (略称： Renesas Design) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 辻 高晴 / Takaharu Tsuji / ツジ タカハル |
| 第3著者 所属（和/英） | 株式会社ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology Corporation (略称： Renesas) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大谷 順 / Jun Otani / オオタニ ジュン |
| 第4著者 所属（和/英） | 株式会社ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology Corporation (略称： Renesas) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山口 雄一郎 / Yuichiro Yamaguchi / ヤマグチ ユウイチロウ |
| 第5著者 所属（和/英） | 株式会社ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology Corporation (略称： Renesas) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 古田 陽雄 / Haruo Furuta / フルタ ハルオ |
| 第6著者 所属（和/英） | 株式会社ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology Corporation (略称： Renesas) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上野 修一 / Shuichi Ueno / ウエノ シュウイチ |
| 第7著者 所属（和/英） | 株式会社ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology Corporation (略称： Renesas) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大石 司 / Tsukasa Oishi / オオイシ ツカサ |
| 第8著者 所属（和/英） | 株式会社ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology Corporation (略称： Renesas) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 林越 正紀 / Masanori Hayashikoshi / ハヤシコシ マサノリ |
| 第9著者 所属（和/英） | 株式会社ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology Corporation (略称： Renesas) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | 日高 秀人 / Hideto Hidaka / ヒダカ ヒデト |
| 第10著者 所属（和/英） | 株式会社ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology Corporation (略称： Renesas) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2007-04-12 10:00:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | ICD2007-3 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.1 |
| ページ範囲 | pp.13-16 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2007-04-05 (ICD) |
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